Infineon Technologies presenta i MOSFET CoolSiC G2

Infineon Technologies ha presentato la nuova generazione della tecnologia trench MOSFET al carburo di silicio (SiC). I nuovi MOSFET Infineon CoolSiC da 650 V e 1200 V di seconda generazione, sottolinea l’azienda, migliorano i dati chiave relativi alle prestazioni dei MOSFET fino al 20% rispetto alla generazione precedente, senza compromettere i livelli di qualità e affidabilità, portando a una maggiore efficienza energetica complessiva e contribuendo ulteriormente alla decarbonizzazione.

La tecnologia CoolSiC MOSFET Generation 2 (G2) continua a sfruttare le capacità del carburo di silicio consentendo di ottenere una minore perdita di energia che si traduce in una maggiore efficienza durante la conversione di potenza.

“I megatrend richiedono modi nuovi ed efficienti per generare, trasmettere e consumare energia. Con il CoolSiC MOSFET G2, Infineon porta le prestazioni del carburo di silicio a un nuovo livello”, ha affermato il Dr. Peter Wawer, Division President Green Industrial Power di Infineon. “Questa nuova generazione di tecnologia SiC consente la progettazione accelerata di sistemi maggiormente ottimizzati in termini di costi, compatti, affidabili e altamente efficienti che consnetono risparmi energetici e riducono la CO2 per ogni watt installato sul campo. È un ottimo esempio dello spirito di Infineon, che spinge costantemente verso l’innovazione per favorire la decarbonizzazione e la digitalizzazione nei settori industriale, consumer e automobilistico”.

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