ON Semiconductor ha realizzato una nuova gamma di MOSFET in carburo di silicio (SiC) qualificati per l’uso industriale e conformi alle normative AECQ101 in vigore nel settore automobilistico.
I nuovi MOSFET SiC da 650V di ON Semiconductor sono basati su un nuovo materiale WBG (Wide Band Gap) che assicura prestazioni di commutazione più elevate e migliori caratteristiche termiche rispetto al silicio. Ciò comporta numerosi vantaggi tra cui maggiore efficienza a livello di sistema, aumento della densità di potenza, riduzione delle interferenze elettromagnetiche (EMI) e diminuzione delle dimensioni e del peso del sistema.
Questa nuova generazione di MOSFET SiC adotta inoltre un progetto innovativo della cella attiva abbinato a un’avanzata tecnologia a film sottile che consente di ottenere la migliore figura di merito Rsp (RDS(on) x area attiva) per tensioni di breakdown di 650V.
I modelli NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 e NTH4L015N065SC1 sono caratterizzati da un valore di RDS(on) (12 mOhm) nei package D2PAK7L e TO247.