Da Rutronik i nuovi MOSFET SiC di ROHM

Rutronik ha annunciato la disponibilità dei MOSFET SiC a canale N di quarta generazione di ROHM. Questi dispositivi sono caratterizzati, tra l’altro, da una bassa resistenza di commutazione, riducono le perdite di commutazione e supportano una tensione gate-source di 15 V.

A differenza dei MOSFET SiC di terza generazione, la quarta generazione supporta infatti un intervallo di tensione per il gate più flessibile, da 15 V a 18 V. Ciò consente lo sviluppo di un circuito di pilotaggio del gate utilizzabile anche per IGBT ad alte correnti. I componenti possono sopportare fino a +175 °C e possono essere facilmente collegati e controllati in parallelo.

I MOSFET SiC beneficiano del miglioramento della struttura e offrono una resistenza di conduzione fino al 40% inferiore rispetto a componenti simili. Il produttore precisa che le perdite di commutazione sono state ridotte fino al 50%.

I nuovi MOSFET sono utilizzabili in veicoli elettrici, azionamenti industriali e applicazioni aerospaziali. I MOSFET sono disponibili insieme ai relativi moduli e driver, nonché alle apposite schede di valutazione.

Le schede di valutazione half bridge P04SCT4018KE-EVK-001 e P05SCT4018KR-EVK-001, infatti, sono state sviluppate per i MOSFET SiC Gen 4 in package compatti TO-247N e TO-247-4L e consentono una rapida implementazione di nuove applicazioni.

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