Collaborazione ampliata tra LIGENTEC e X-FAB

LIGENTEC e X-FAB hanno ampliato la loro collaborazione finalizzata all’espansione dell’offerta di fotonica integrata e alla semplificazione dell’accesso da parte dei clienti a tecnologie fotoniche avanzate.

L’operazione prevede l’intorduzione congiunta sul mercato della tecnologia Silicon Photonics XPH90 (SOI) di X-FAB attraverso la sua integrazione nel più ampio portafoglio di piattaforme fotoniche di LIGENTEC, creando un ecosistema unificato che comprende sia la tecnologia SOI (Silicon on Insulator) che le tecnologie al nitruro di silicio (SiN) a bassa perdita.

Queste piattaforme soddisfano un’ampia gamma di requisiti applicativi, dalle telecomunicazioni e comunicazioni dati ad alta velocità e ad alto volume ai sistemi di elaborazione avanzata, quantistica e di rilevamento. La tecnologia SiN continua inoltre ad ampliare le sue capacità in diversi mercati, mentre quella SOI aggiunge una soluzione dedicata per applicazioni di telecomunicazioni e comunicazioni dati basate su larghezza di banda e integrazione.

“La nostra collaborazione con LIGENTEC per lo sviluppo e la commercializzazione congiunti della tecnologia XPH90 SOI insieme alla loro piattaforma in nitruro di silicio a bassa perdita è una risposta efficace all’esigenza del mercato di una fotonica versatile e scalabile”, ha affermato Rudi De Winter, CEO di X-FAB. “Promuovendo questa integrazione eterogenea, in particolare con il niobato di litio a film sottile, forniamo gli elementi costitutivi essenziali per il calcolo quantistico e la prossima generazione di sistemi di telecomunicazione e comunicazione dati. Questa collaborazione rafforza il nostro impegno nello sviluppo di una solida supply chain europea di fotonica ad alto volume su scala industriale.”
“Il nostro obiettivo è sempre stato quello di offrire una transizione fluida dalla prototipazione alla produzione in serie”, ha affermato Thomas Hessler, CEO di LIGENTEC. “Ampliando la nostra partnership con X-FAB, offriamo ai nostri clienti un accesso anticipato a uno stack tecnologico più ampio che ora include la tecnologia di fotonica al silicio (SOI) XPH90 di X-FAB, nonché l’integrazione di niobato di litio a film sottile (TFLN) ad alto volume. Questa tecnologia consente prestazioni all’avanguardia e aiuta i nostri partner a rimanere all’avanguardia nell’innovazione nelle applicazioni di rilevamento, connettività e calcolo.”

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