N
el 2008 avevamo dato la noti-
ziadella ‘scoperta’delmemristor
da parte di
e
della sua possibile applicazione
nella realizzazione di memorie
resistive entro cinque anni. Do-
pounaprofondacrisi economica
mondiale e un non troppo feli-
cemomento per HP stessa, l’a-
ziendaamericanaha trasferito la
tecnologiaal partner
, spo-
stando ladeadlineal 2014-2015.
Persino l’idea stessa, avanzata
dai ricercatori di HP, chenon so-
lo il dispositivo in TiO2 da loro
realizzato ma tutte le memorie
resistive sarebberomemristor, è
andatasoggettaacriticheecon-
futazioni. Ciò non inficia il fatto
che le ReRAM finora realizzate
nei laboratori di ricerca siano di-
spositivi perfettamente in grado
di funzionareedi proporsi come
evoluzionedellememorieNVM.
Nel corso degli anni se ne sono
occupati anche centri di ricerca
senza scopodi lucro, come
aTaiwane
inEuropa, con
la produzione di prototipi che ne
hanno dimostrato le potenzialità
in termini di prestazioni escalabi-
lità. I grandi produttori elettronici
non sono certo rimasti a guar-
dare: già nel 2012
aveva presentato un kit di valu-
tazione per la propria tecnologia
ReRAM, basata su celle di me-
moria1T1R inossidodi tantalio.
L’anno scorso, in occasione di
013 aNorim-
berga, l’azienda giapponese ha
annunciatodi avermesso inpro-
duzione il primo microcontrollo-
re dotato di memoria interna di
tipoReRAM. Si tratta delle unità
a 8 bit a basso consumo della
famiglia
. La memo-
ria resistiva di Panasonic utilizza
una reazione di ossidoriduzione
per cambiare lo stato della cel-
la ed è stata realizzata con un
processo a 180 nm. Un primo
passo concreto che contribuisce
adalimentare la fiduciadei clienti
nelle tecnologie resistive.
All
dello
scorsoanno,
e
hanno mostrato un prototipo di
ReRAM di tipo cross-point da
32 Gbit in tecnologia a 24 nm.
Il chip, che ha un’area di 131
mm
2
, utilizza un’interfaccia com-
patibile con quella delle Flash
Nand che si propone di rimpiaz-
zareedècaratterizzatoda laten-
ze in letturaescrittura, rispettiva-
mente,di 40e230
μ
s.
Lo scorso agosto,
aveva
preannunciato al
2013 l’intenzione di
iniziare a commercializzare Re-
RAM entro il 2015, ipotizzando
chip da 16 GByte con un pro-
cesso a 20 nm. A febbraio di
quest’anno un
gruppo di ricer-
ca congiunto di
e Sony
ha dimostrato
all’ISSCC 2014 di
aver realizzato un
prototipo di Re-
RAM da 16Gbit a
27 nm. Le presta-
zioni dichiarate so-
no di 1GB/s in let-
turaedi 200MB/s
in scrittura, con un
ingombro compa-
rabile a quello del-
lememorie Dram. L’elemento a
resistenza commutabile è una
struttura a doppio strato (CuTe -
isolante) nellaquale i ‘ponti’ con-
duttivi sonocreati dalladiffusione
di ioni rame. Il recente prototipo
di Micron e Sony mostra un’in-
novativa struttura a doppia cella
cheavrebbepermessodi rimuo-
vere il compromesso tra presta-
zioni e densità di bit, aprendo la
strada a prodotti con capacità
superiori a quelle delle Dram e
velocità superiori a quelle delle
memorieNand.
Una soluzione ideale per le ap-
plicazioni diStorage.
Adarrivareper prima sulmerca-
to con chip di memoria ReRAM
potrebbe essere
una
piccolastart-up fondatanel 2010
da George Minassian, proget-
tista con un passato in
e
Crossbar vanta l’e-
sclusiva di una serie di brevetti
ReRAMmessi a punto all’Uni-
versitàdelMichiganper la realiz-
zazione di memorie resistive ad
alta densità con una tecnologia
compatibilecon i tradizionali pro-
cessi Cmos. Lacelladimemoria
è costituita da due elettrodi me-
tallici che racchiudonounostrato
di silicio amorfo in seno al quale
si formano i nanofilamenti con-
duttivi che alterano la resistenza
del dispositivo. Le celle possono
scalare fino 5 nm e, grazie allo
stacking3D, è in teoriapossibile
immagazzinare1TBdi dati inun
chipgrandequandouna schedi-
naSD.
L’anno scorso Crossbar ha rea-
lizzatounprototipoda1MB con
un processo a 110 nm, preludio
a chip da 8 GB a 25 nm per i
quali sarebbero incorso le fasi di
caratterizzazione e ottimizzazio-
ne. Lapiccolaaziendacalifornia-
na ha fatto parlare di sé quando
ha annunciato di voler iniziare
la produzione di massa già nel
2015 con prodotti che prometto-
no di surclassare la tecnologia
Nand Flash con un migliora-
mento di venti volte in termini di
prestazioni e consumi e di dieci
volte in termini di durata.
EON
ews
n.
573
-
marzo
2014
3
M
assimo
G
iussani
T
erza
P
agina
Il debuttodella tecnologiaReRAMcome
pretendenteal tronodellememorieFlash
potrebbeessere imminente. Di nuovo
ReRAM:
a volte ritornano
FotoCrossbar
