EO532

ELETTRONICA OGGI 532 - marzo 2026 29 MERCATI essere salvati in Mram in poche decine di na- nosecondi, mentre una Nand richiede tempi dell’ordine del microsecondo. La Mram di- venta quindi un elemento chiave per ridurre il rischio di perdita di dati. Un altro esempio sono i registratori dati per applicazioni mission critical, come l’aero- spazio o il ferroviario, che richiedono un’af- fidabilità eccezionale anche in condizioni estreme. Tra l’altro, essendo le celle della me- moria Mram basate su un principio magne- tico e non su cariche elettriche intrappolate, sono intrinsecamente meno soggette agli in- flussi dalle radiazioni cosmiche, per cui pos- sono essere usate senza particolari accorgi- menti anche fuori dall’atmosfera terrestre. Le Mram possono anche sostituire le memorie Flash? È una delle tendenze più promettenti. Una memoria NOR Flash embedded incontra dif- ficoltà di scaling sotto i 40 nm, e molte fon- derie stanno introducendo Mram embedded come alternativa. Rispetto a una Flash, una memoria Mram supporta operazioni di scrit- tura notevolmente più rapide, con consumi inferiori e una resistenza ai cicli di scrittura nettamente superiore. Inoltre, mentre nelle memorie Flash la ritenzione dei dati peggio- ra con l’aumentare dei cicli di programmazio- ne, nelle Mram la stabilità è legata al volume magnetico della cella e rimane sostanzial- mente invariata nel tempo. Questo semplifica anche l’architettura di sistema, eliminando la necessità di operazioni di refresh o di strate- gie complesse di gestione dell’usura. Quali applicazioni stanno trainando l’adozione delle memorie Mram? In Europa, un ruolo centrale è giocato dall’au- tomazione industriale, in particolare dai PLC, dove il logging continuo di eventi in condizio- ni ambientali gravose è un requisito chiave. Un ambito meno intuitivo ma significativo è quello del gaming: nelle slot machine ogni evento deve essere registrato più volte per motivi normativi. La maggiore velocità di scrit- tura della Mram rispetto alla Flash permette di realizzare sistemi più reattivi e affidabili. La tecnologia trova spazio anche in applica- zioni ad altissima affidabilità, come avionica e spazio. Una memoria Mram è intrinseca- mente tollerante alle radiazioni ed è impie- gata in sistemi avionici di velivoli commercia- li, oltre che in missioni spaziali e satelliti in orbita bassa. Nuovi dispositivi high-rel ope- rano fino a +125 °C, rispondendo alle richie- ste tipiche di questi contesti. Altri settori includono automotive ad alte pre- stazioni e veicoli elettrici, dove la memoria è usata in powertrain e sistemi di gestione bat- teria, il medicale - ad esempio in dispositivi impiantabili o sistemi di dialisi - e il mondo Fpga, dove la configurazione può avvenire molto più rapidamente rispetto alla Flash, con vantaggi anche per aggiornamenti over- the-air. Guardando in prospettiva, con l’of- ferta di Everspin vediamo eccellenti oppor- tunità anche nell’AI edge su microcontrollori, utilizzando parte della Mram come memoria di configurazione e parte come memoria di lavoro per l’inferenza locale. Ci sono barriere all’adozione delle Mram? Il costo per bit della Mram è oggi superiore rispetto alle memorie tradizionali, ma la di- namica è quella tipica delle tecnologie emer- genti. Con l’aumento dei volumi e l’ammor- tamento degli impianti di produzione, i costi sono destinati a ridursi. Inoltre, una memoria Mram va valutata a livello di sistema: può semplificare il design, migliorare l’affidabili- tà e offrire prestazioni superiori, compensan- do il differenziale di costo del singolo com- ponente. Qual è la visione di Everspin? L’azienda sta ampliando la produzione coin- volgendo più fonderie, tra cui GlobalFoun- dries e Tsmc su nodi avanzati, per rafforzare la supply chain. L’obiettivo è portare la Mram da una soluzione di nicchia per ambienti estremi a vera alternativa ad alte prestazio- ni alla Flash in un maggior numero di settori applicativi, mantenendo come punti di forza velocità, robustezza e affidabilità operativa nel lungo periodo. Struttura interna di una memoria DDR3 ST- Mram da 64 Mb di Everspin Technologies. Fonte Everspin Technologies