EO532

MERCATI ELETTRONICA OGGI 532 - marzo 2026 28 CARATTERISTICA MRAM NOR FLASH NAND FLASH FRAM SRAM DRAM VOLATILITÀ Non volatile Non volatile Non volatile Non volatile Volatile Volatile TEMPO DI SCRITTURA Decine di ns ~µs ~100 µs (pagina) ns–decine ns ns ns TEMPO DI LETTURA ns decine di ns µs ns ns ns ENDURANCE (CICLI) Molto elevata, praticamente illimitata a livello applicativo Limitata (10 4 – 10 5 tip.) Limitata (10³–10 5 tip.) Molto elevata Illimitata Illimitata (con refresh) RITENZIONE DATI CON L’USURA Stabile nel tempo Peggiora con i cicli Peggiora con i cicli Buona N/A N/A NECESSITÀ DI REFRESH No No No No No Sì SCALABILITÀ CON NODI CMOS AVANZATI Buona (STT-MRAM) Limitata sotto ~40 nm Buona (ma complessa) Limitata Buona Buona DENSITÀ TIPICA Bassa–media (fino a centinaia di Mbit / roadmap Gbit) Bassa–media Molto alta Bassa Bassa Media– alta CONSUMO IN SCRITTURA Basso Relativamente alto Alto Basso Basso Medio ROBUSTEZZA A TEMPERATURA Elevata (fino a 125 °C e oltre con screening) Media Media Buona Buona Sensibile TOLLERANZA A RADIAZIONI Intrinsecamente buona Limitata Limitata Media Limitata Limitata USO TIPICO Logging veloce, buffer non volatile, industriale, aerospace, FPGA, automotive Codice, configurazione Storage di massa Logging a bassa densità Cache, registri Memoria di lavoro CONFRONTO SINTETICO TRA TECNOLOGIE DI MEMORIA dursi delle geometrie del processo, si riduce anche la dimensione della cella magnetica. Questo ha permesso di estendere la densità fino a ben 256 Mbit, con una roadmap che prevede dispositivi monolitici da 256 Mbit e un’evoluzione fino a 2 Gbit. Dove una Mram offre un vantaggio netto rispetto alle memorie tradizionali? Una memoria Mram riunisce in un’unica tec- nologia caratteristiche che normalmente ap- partengono a famiglie diverse di memorie. È non volatile come la Flash, ma con tempi di scrittura vicini a quelli delle memorie veloci, come Dram o Sram; offre inoltre una lunghis- sima capacità di mantenere i dati memoriz- zati, anche di dieci anni, e un funzionamento stabile in un ampio intervallo termico, tipica- mente da –40 °C a +125 °C. Un esempio concreto arriva dal data center. IBM utilizza le STT-Mram di Everspin in for- mato DDR3 e DDR4 come buffer tra la memo- ria di lavoro e lo storage NAND. In caso di interruzione di alimentazione, i dati possono