25 / 25
POWER 6 - novembre/dicembre 2014
XXV
NEWS
Moduli di potenza
DC-DC low profile
MIC33163/MIC33164
e
MIC33263/MIC33264 sono le sigle
delle due nuove famiglie, rispetti-
vamente da 1A e 2A, di moduli di
potenza step down low profile di
Micrel
.
Questi moduli, che integrano un
convertitore buck sincrono con
un induttore in uno spazio molto
limitato, sono capaci di un duty
cycle del 100% e operano con una
tensione di ingresso che va da 2,7V
fino a 5,5V. I nuovi componenti di
Micrel possono operare fino a 4
Mhz con efficienze dell’88% a 10
mA e con un valore di picco di ol-
tre il 93%.
Per le possibili applicazioni si va
moduli wireless agli SSD, dai device
wereable ai moduli per fotocamere.
Controller per batterie
agli ioni di Litio
Si chiama LC05111CMT il nuovo
controller di
ON Semiconductor
per la protezione delle batterie con
tecnologia agli ioni di Litio utiliz-
zate nei device portatili. Questo
controller utilizza tecnologie con
circuiti analogici, MOSFET e un
packaging avanzato. Il chip per-
mette il controllo con elevata pre-
cisione della corrente utilizzando
una resistenza per il rilevamento,
assicurando la protezione da scari-
che profonde e sottocorrenti e so-
vracorrenti di carica.
L’elevato livello di integrazione di
questo chip riduce il numero di
componenti necessari e lo spazio
sulla board.
Power
Elementi ad alta corrente per tecnologia SMD
I nuovi elementi a elevata cor-
rente PowerOne SMD di
Würth
Elektronik ICS
possono esse-
re trattati con le linee tipiche
SMT. A seconda del layout si
possono utilizzare correnti fino
a 300A, per cui questi elementi
di potenza sono adatti come
elementi di collegamento per
fusibili, cavi, sul circuito stam-
pato o come elementi di fis-
saggio. Gli elementi di potenza
PowerOne SMD sono disponibili in quattro varianti, da M4 a M8. La coppia massima dei
PowerOne SMD è la stessa della coppia degli elementi classici PowerOne. Un PowerO-
ne SMD M8, per esempio, ha una coppia massima di 9 Nm.
Diodi Schottky SiC
Allegro MicroSystems
ha presentato la nuova generazione di diodi Schottky realizzati
con tecnologia SiC (carburo di silicio). La serie FMCA offre caratteristiche come basso
leakage e elevate velocità di switching alle alte temperature. La tecnologia SiC permette
di avere una tensione di breakdown di 650V in configurazione Schottky barrier.
Questi componenti sono of-
ferti da Allegro, ma realizzati e
sviluppati da Sanken Electric
Co., Ltd. in Giappone. Dal
punto di vista delle applica-
zioni, i settori a cui sono de-
stinati questi diodi sono quelli
industriale e dei computer
per server e altri progetti che
richiedono circuiti di rettifica-
zione ad alta frequenza.
Transistor GaN per comunicazioni
Cree
ha annunciato la disponibilità del primo transistor GaN per applicazioni di comuni-
cazione troposcatter (tropospheric scatter).
Questo high electron mobility transistor (HEMT), siglato CGHV50200F, può fornire 200W
in continuous wave (CW) e opera a frequenze di 4,4-5 GHz.
Questo componente è anche quello di potenza maggiore per applicazioni C-Band
come per esempio quelle di comunicazione via satellite e di fatto questo transi-
stor può sostituire i trave-
ling wave tube (TWT) per
gli amplificatori dei sistemi
satellitari broadcasting.
Per le altre caratteristiche
tecniche,
CGHV50200F
offre un guadagno tipico di
11,5 dB e una efficienza ti-
pica del 48%.