Amd annuncia la tecnologia che porterà i futuri transistor a prestazioni dieci volte più elevate
Amd ha annunciato di aver fabbricato il transistor double-gate più piccolo ad oggi disponibile, utilizzando la tecnologia standard industriale. Questi transistor, che misurano 10 nanometri, ovvero 10 miliardesimi di metro in lunghezza (gate), sono sei volte più piccoli rispetto ai transistor più piccoli attualmente in produzione.
L’innovativa ricerca di AMD permetterà di posizionare un miliardo di transistor sullo stesso chip che attualmente ne contiene 100 milioni, rendendo possibile funzionalità molto più ricche.
I transistor sono i minuscoli switch on/off che costituiscono i circuiti integrati degli attuali microprocessori. La struttura di un transistor double-gate raddoppia la corrente elettrica che può essere inviata attraverso un transistor.
Il design del Transistor Fin Field Effect (FinFET) si basa su un sottile strato verticale di silicio (Fin) che aiuta il controllo della corrente dispersa attraverso il transistor quando questo si trova in stato di “off”. La combinazione di questo design permette la creazione di nuovi chip con prestazioni più elevate e geometrie più piccole che mai.

