Alpha & Omega Semiconductor: Aon7900, stadio di potenza Mosfet integrato

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Ottimizzato per eseguire conversioni c.c.-c.c. buck sincrone, Aon7900, lo stadio di potenza Mosfet duale, Dfn 3,3 x 3,3, altamente integrato, di Alpha & Omega Semiconductor, è caratterizzato da un’innovativa tecnologia di assemblaggio, che consente di sovrapporre più dispositivi di potenza al fine di erogare più corrente in un ingombro più piccolo, permettendo così soluzioni c.c.-c.c. ad alta densità di potenza per usi in computer notebook, server, schede grafiche e applicazioni telecom all’avanguardia.

Per questo scopo, comprende due Mosfet Sgt ad alte prestazioni, di Alpha & Omega Semiconductor stessa, interconnessi utilizzando la tecnologia per l’accatastamento di piastrine proprietaria della medesima. In confronto con involucri duali tradizionali, dove più piastrine sono affiancate, il metodo a sovrapposizione presenta numerosi benefici, ivi compresi una maggiore densità di potenza permessa da Mosfet a minore resistenza distribuita e un ingombro Pcb semplificato. Ciò rende possibile ottenere un singolo dispositivo di potenza da 10 mm2 in grado di erogare una corrente in uscita superiore a 12 A in una tipica applicazione c.c.-c.c. da 12 V_in a 18 V_out.

Questa soluzione fornisce ai progettisti un elevato livello di funzionalità e prestazioni in un package miniaturizzato che facilità layout Pcb e che, in numerosi casi, può anche sostituire due contenitori discreti.

Alpha & Omega Semiconductor: www.aosmd.com

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