Toshiba realizza un diodo Schottky con prestazioni termiche migliorate

Toshiba Electronics Devices & Storage Europe ha annunciato la disponibilità di un nuovo diodo a barriera Schottky destinato ad applicazioni come il raddrizzamento e il blocco della corrente inversa nei circuiti di alimentazione.

CUHS10F60 ha una resistenza termica di 105°C/W con il proprio package US2H di nuova concezione , valore che è il 50% rispetto ai package USC tradizionali, e permette quindi una progettazione termica più semplice.

Sono stati inoltre apportati ulteriori miglioramenti in termini di prestazioni nei confronti degli altri membri della famiglia di prodotti. Rispetto al diodo Schottky CUS04, la massima corrente inversa è stata ridotta di circa il 60%, fino a 40µA. Questo contribuisce ad assicurare un minor consumo di potenza nelle applicazioni in cui esso viene utilizzato. Inoltre, la sua tensione inversa è stata aumentata da 40V a 60V. Ciò estende, rispetto al dispositivo CUS10F40, la gamma di applicazioni nelle quali può trovare impiego.

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