International Rectifier: MOSFET per applicazioni automobilistiche
International Rectifier ha recentemente introdotto una nuova famiglia di transistor MOSFET di potenza, inseriti in un robusto package TO-220 fullpak e adatti per numerose applicazioni nel settore automotive, tra cui il pilotaggio di motori brushless (BDLC), pompe e ventilatori per sistemi di raffreddamento.
I nuovi dispositivi da 55 V e basati su costruzione planare sono disponibili in configurazioni a canale P e a canale N con tensioni di pilotaggio standard o compatibili con le uscite logiche; offrono anche una resistenza di conduzione massima Rds(on) di soli 8 mOhm.
L’impiego del contenitore TO-220 fullpak elimina la necessità di utilizzare hardware supplementare semplificando il progetto e migliorando l’affidabilità complessiva del sistema.
Tutti i MOSFET per automotive sono sottoposti a collaudi statici e dinamici con metodologie statistiche PAT (Part Average Testing) combinate con l’ispezione ottica automatica al 100% a livello di wafer e rientrano nel programma di qualità per il settore automobilistico di International Rectifier.
I dispositivi sono infine conformi agli standard AEC-Q101 e realizzati con materiali a basso impatto ambientale, senza piombo, e nel rispetto delle direttive sulle sostanze pericolose RoHS.
Contenuti correlati
-
Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive
I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
-
Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm
Rohm ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC, Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
-
Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
-
Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive
Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
-
Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba
Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...
-
I nuovi Mosfet di Ideal Semiconductor
Ideal Semiconductor ha ampliato la sua offerta di Mosfet SuperQ da 200 V con nuovi modelli caratterizzati da valori di RDS (on) particolarmente ridotti. La versione con packge di tipo TOLL offre infatti una RDS(on) massima di...
-
I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota
Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano...
-
Toshiba presenta un MOSFET DTMOSVI da 600 V
TK057V60Z è un nuovo MOSFET a super giunzione a canale N di Toshiba che offre una tensione drain-source (VDSS) di 600 V con una corrente di drain (ID) fino a 40 A. Le altre principali caratteristiche tecniche...
-
Littelfuse presenta un nuovo MOSFET da 200 V e 480 A
Littelfuse ha introdotto il MOSFET di potenza Ultra Junction classe X4 MMIX1T500N20X4. Questo nuovo componente a canale a N da 200 V e 480 A offre un valore di RDS(on) particolarmente basso (1,99 mΩ), permettendo una elevata...
-
Package innovativo per i MOSFET Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha esteso la sua offerta di MOSFET di potenza a canale N con sei nuovi prodotti della serie DTMOSVI 600V. I componenti sono ospitati in package TO-247-4L(X) a 4 pin e sono stati progettati...












