STMicroelectronics: anche Globalfoundries produrrà dispositivi FD-SOI da 28 e 20 nm
Il chip maker si è assicurato una fonte aggiuntiva per la produzione di dispositivi basati sulla tecnologia FD-SOI da 28 e 20 nm
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STMicroelectronics ha annunciato che Globalfoundries ha accettato di produrre dispositivi basati sulla tecnologia proprietaria Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) da 28 nm e 20 nm. ST amplia così la possibilità di disporre di tecnologia FD-SOI aggiungendo alle proprie risorse manifatturiere interne di Crolles, in Francia, la capacità produttiva di Globalfoundries.
La disponibilità tempestiva e in volumi elevati di dispositivi FD-SOI è di fondamentale importanza per rispondere alle esigenze di produzione di dispositivi come smartphone e tablet che devono gestire contenuti multimediali, grafica e connettività a banda larga senza esaurire rapidamente le batterie.
I componenti ‘fully depleted’ infatti, oltre a unire elevate prestazioni di picco, presentano una bassa potenza attiva in tutte le condizioni d’uso (mantenendo buone prestazioni anche con alimentazione ridotta) e bassi consumi in modalità stand-by.
La generazione FD-SOI da 28 nm è attualmente nella fase di industrializzazione e secondo i programmi saranno disponibi prototipi entro il mese di luglio 2012. La generazione FD-SOI da 20 nm è invece attualmente in fase di sviluppo con disponibilità prevista di prototipi entro il terzo trimestre 2013.
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