Polarizzazione di FET LDMOS in amplificatori di potenza RF
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Dalla rivista:
Elettronica Oggi
La tecnologia FET LDMOS si sta imponendo quale elemento determinante in applicazioni “amplificazione di potenza RF” in particolar modo nella base station per telefonia cellulare. Tensioni di breakdown pari a 65 volt permettono ai FET LDMOS di garantire robustezza e affidabilità quando operano in sistemi alimentati a 28 volt. Questo articolo delinea le caratteristiche di tali transistor e descrive svariati metodi di polarizzazione al fine di ottenere i migliori risultati applicativi