Da Ampleon un transistor RF LDMOS da 250W

BLP2425M10S250P è un nuovo transistor di potenza RF da 250 W annunciato da Ampleon.

Si tratta di un componente utilizzabile per applicazioni industriali, nelle cucine per la cottura e lo scongelamento, applicazioni scientifiche e mediche (ISM) nella banda di frequenza da 2400 MHz a 2500 MHz.

Il nuovo transistor utilizza il processo LDMOS di decima generazione di Ampleon e offre un’efficienza del 67%, risparmiando energia e semplificando i requisiti di raffreddamento nei sistemi ad alta potenza.

Il passaggio da un contenitore in ceramica tradizionale a uno in plastica lo rende un’alternativa interessante per sostituire i tradizionali magnetron a 2,45 GHz.

Funzionando con un’alimentazione a 32 V CC, BLP2425M10S250P non richiede le alte tensioni necessarie ad altri tipi di componenti, un requisito importante per le applicazioni mediche e di consumo. L‘elevata affidabilità e durata operativa della tecnologia LDMOS offre inoltre il vantaggio significativo di evitare la sostituzione regolare dei componenti.

Contenuti correlati

• 
  Da Mouser un eBook sulla progettazione RF

  Mouser Electronics ha ampliato la sua offerta di eBook presentando una nuova guida dedicata alla progettazione RF che approfondisce temi come la catena del segnale, la scelta dell’antenna, arrivando fino ai test, alla certificazione e all’integrazione digitale....
• 
  Accordo di distribuzione tra Mouser e Ampleon

  Sono le soluzioni di potenza RF al centro del nuovo accordo di distribuzione siglato tra Mouser Electronics e Ampleon. Il produttore offre un’ampia gamma di dispositivi per applicazioni, tra cui le infrastrutture 5G, il settore industriale, medicale,...
• 
  Qualificazione ELDRS per i transistor JAN di Microchip

  Microchip Technology ha annunciato che i suoi transistor JAN (Joint Army Navy) sono stati testati e qualificati per i requisiti dello Standard Militare Enhanced Low Dose Radiation Sensitivity (ELDRS) tra cui MIL-STD-750, Test Method 1019 e specifiche...
• 
  Le tecnologie Wireless e RF nelle soluzioni industriali

  Una panoramica sulle tecnologie wireless e RF che costituiscono un valido supporto alle soluzioni dell’ingegneria industriale Leggi l’articolo completo su EO519
• 
  Il GaN nella progettazione di alimentatori: vantaggi e sfide

  I transistor GaN aprono la strada allo sviluppo di progetti di alimentatori caratterizzati da efficienze più elevate, densità di potenza maggiori e fattori di forma più ridotti Leggi l’articolo completo su EO Power 35
• 
  Terminologia e progettazione RF: una guida introduttiva

  In questo articolo verranno analizzate le nozioni fondamentali della comunicazione wireless, approfonditi alcuni concetti base e spiegata la terminologia e i termini essenziali Leggi l’articolo completo su EO 513
• 
  Renesas e AMD collaborano per nuove soluzioni 5G

  Renesas Electronics  intende presentare, in collaborazione con AMD, una soluzione front-end RF completa per Sistemi radio 5G ad Antenna Attiva (AAS)  con l’obiettivo di offrire una soluzione completa che soddisfi la crescente domanda del mercato delle infrastrutture...
• 
  La progettazione dei circuiti elettronici

  In questo articolo, dopo l’esposizione dei principi base della progettazione e dell’analisi dei circuiti elettronici, verrà fornita una sintetica descrizione della progettazione elettronica assistita da computer Leggi l’articolo completo su EO 507
• 
  Monitoraggio dello stato dei satelliti mediante amplificatori di rilevamento della corrente

  Gli amplificatori di rilevamento della corrente costituiscono un elemento fondamentale di numerosi sistemi di monitoraggio dei satelliti che permettono di capire il loro comportamento dalla Terra Leggi l’articolo completo su EO 507
• 
  La progettazione di prodotti IoT wireless

  In questo articolo tratteremo considerazioni fondamentali per l’approccio al processo decisionale dello sviluppo di un progetto di un dispositivo IoT wireless Leggi l’articolo completo su EO 504