I nuovi MOSFET a canale N a 80V di Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha presentato due nuovi MOSFET a canale N a 80V fabbricati con il suo più recente processo produttivo U-MOSX-H che consente una riduzione di circa il 40% della resistenza di on (RDS(ON)) rispetto ai prodotti a 80V corrispondenti realizzati con processi di generazione precedente.

I nuovi dispositivi, siglati TPH2R408QM e TPN19008QM, offrono rispettivamente un valore di RDS(ON) di 19mΩ (massimi), e di 2,43 mΩ.

Possono operare con temperature di canale (Tch) fino a 175° C. Il modello TPN19008QM è caratterizzato da una corrente di drain (ID) di 34A ed è alloggiato in un package TSON avanzato da 3,3×3,3 mm mentre la versione TPH2R408QM offre una ID di 120A ed è alloggiato in un package SOP avanzato da 5,0×6,0 mm.

Entrambi i dispositivi sono adatti a un’ampia gamma di applicazioni di alimentazione in cui è essenziale garantire perdite minime durante il funzionamento. Queste ultime includono la conversione AC-DC e DC-DC ad alta efficienza nei data center e nelle stazioni base di comunicazione e un’ampia gamma di soluzioni per l’azionamento dei motori.

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