Il Power Lab di ROHM assiste i progetti con componenti di potenza
Il nuovo laboratorio per l’elettronica di potenza presentato a Willich, vicino Düsseldorf, punta a migliorare il supporto tecnico ai clienti, che in fase di sviluppo devono affrontare la complessità dei requisiti di sistema richiesti nelle moderne applicazioni
Il “Power Lab”, un nuovo laboratorio europeo di 300 metri quadrati di superficie, dedicato all’analisi dei componenti e sistemi di potenza, è stato ufficialmente presentato i primi di febbraio da ROHM Semiconductor nella sede tedesca di Willich, vicino Düsseldorf.
Il nuovo laboratorio servirà, come ha precisato anche Aly Mashaly, direttore del Power Lab e manager del dipartimento Power Systems della società, a fornire un miglior supporto tecnico locale a livello applicativo ai clienti europei di ROHM, che in questa sede hanno anche la possibilità di collaudare, verificare e valutare in prima persona le caratteristiche e prestazioni dei componenti. A tale scopo, il laboratorio è stato equipaggiato con diversi banchi di test, sviluppati e progettati sulla base dei requisiti stabiliti da ROHM in termini di scalabilità e flessibilità in rapporto a future modifiche.
Tra gli obiettivi, potenziare l’usabilità, rendendo i prodotti e sistemi più facili da adottare, ma anche avvicinare maggiormente i prodotti stessi alle necessità e ai requisiti degli utenti, ed eseguire i test in condizioni applicative reali. “Vorremmo ridurre il tempo di sviluppo e supporto ai clienti” ha dichiarato Mashaly, sottolineando comunque che i requisiti di qualità e safety restano la principale priorità: per questo, i banchi di test utilizzano attrezzature di laboratorio allo stato dell’arte, necessarie per caratterizzare a livello elettrico tutti i semiconduttori, che in quest’area comprendono vari componenti, tra cui MOSFET di potenza tradizionali, IGBT, gate driver, e diodi e MOSFET SiC (silicon carbide) in carburo di silicio, solo per citarne alcuni, con tensioni che possono arrivare fino a 8000 VDC.
Tutti componenti di potenza che, sempre più, vengono integrati in varie applicazioni, dai veicoli elettrici, alle infrastrutture di ricarica, ai macchinari industriali, agli impianti solari ed eolici, agli elettrodomestici bianchi, che devono risultare conformi a determinati requisiti di efficienza energetica, da collaudare e validare ad ogni stadio del processo di sviluppo, spiega Mashaly.
Partnership con Venturi sui componenti SiC
Nell’esprimere soddisfazione per la capacità di assistere i clienti europei nei loro progetti, attraverso un laboratorio dotato di attrezzature allo stato dell’arte, Christian André, presidente di ROHM Europe, ha sottolineato che l’investimento nel Power Lab mostra anche la determinazione della società di essere uno dei maggiori fornitori di tecnologie basate su SiC e silicio, per componenti di potenza discreti e integrati, che intende giocare un ruolo importante in questo mercato in espansione.
ROHM sta inoltre collaborando con Venturi Automobiles nel campionato del mondo Formula E, dedicato ai veicoli totalmente elettrici: la partnership punta a trovare il modo migliore di sfruttare l’energia della batteria, e qui la soluzione viene fornita dalla nuova tecnologia di ROHM per i semiconduttori di potenza, basata su carburo di silicio (SiC), e finalizzata a ridurre le dimensioni dei sistemi EV, le perdite di potenza, e ad aumentare la resistenza termica dell’inverter.
Giorgio Fusari
Contenuti correlati
-
Rohm a Pcim Europe 2026
Pcim Expo & Conference 2026 vedrà Rohm impegnata in diverse dimostrazioni focalizzate sulle sue tecnologie per i semiconduttori di potenza e su come possano essere utilizzate per miniaturizzare i sistemi e ridurre le perdite di energia in...
-
Rohm: diodi ESD per interfacce oltre i 10 Gbps
La serie di diodi ESD RESDxVx realizzata da Rohm è in grado di raggiungere sia una bassa resistenza dinamica (Rdyn) che una bassissima capacità. Queste caratteristiche rendono idonei i nuovi componenti all’utilizzo per un’ampia gamma di applicazioni...
-
Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive
I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
-
Rohm: chipset per alimentazione wireless
Rohm ha realizzato un chipset per sistemi di alimentazione wireless utilizzabile per dispositivi indossabili compatti, come smart ring e smart band, o anche per periferiche come le smart pen. Il chipset è formato dal ricevitore ML7670 e...
-
Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm
Rohm ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC, Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
-
Nuovi gate driver da STMicroelectronics
STMicroelectronics ha realizzato due nuovi gate driver che ottimizzano i vantaggi della tecnologia GaN. Si tratta due dispositivi half-bridge ad alta velocità, siglati rispettivamente Stdriveg212 e Stdriveg612 utilizzabili per applicazioni di potenza e controllo del movimento in...
-
Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
-
Nuovi amplificatori operazionali da Rohm
Rohm ha aggiunto alla sua offerta le nuove serie di amplificatori operazionali Cmos siglate TLRx728 e BD728x. Questi componenti sono utilizzabili per diversi tipi di applicazioni, inclusi sistemi automotive, industriali e consumer. L’ampia gamma disponibile semplifica inoltre la...
-
Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive
Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
-
Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba
Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...














