Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS IX-H

Toshiba Electronics Europe ha aggiunto nove versioni da 40V e cinque da 45V alla sua serie di  MOSFET di potenza a canale N U-MOS IX-H.

Caratterizzati da valori particolarmente bassi di resistenza di ON e elevate prestazioni in termini di velocità i nuovi prodotti sono progettati per applicazioni industriali e consumer, inclusi i convertitori DC-DC e AC-DC ad alta efficienza, gli alimentatori e i driver per motori.

I nuovi MOSFET usano il processo a bassa tensione con struttura trench U-MOS IX-H di ultima generazione di Toshiba per ottenere una RDS(ON) (@VGS=10V) massima da 0.80mΩ a 7.5mΩ.

Le strutture delle celle usate nei nuovi MOSFET, inoltre, sono ottimizzate per sopprimere i picchi di tensione e le oscillazioni durante la commutazione, contribuendo a ridurre le EMI del sistema.

I principali tipi di package sono SOP-Advance 5 x 6mm e TSON-Advance 3x3mm. Tutti i nuovi dispositivi supportano unità con livelli logici di 4,5V.

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