Fujitsu: FRAM SPI con tecnologia 0.18 µm

Fujitsu si sta avvicinando al completamento della migrazione dalla tecnologia a 0.35 a quella a 0.18 µm, raggiungendo così una posizione di primo piano in ambito industriale per le prestazione delle FRAM con piedinatura compatibile alle EEPROM.

La FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) combina in un unico dispositivo i vantaggi dell’elevata velocità di scrittura di una SRAM e della non volatilità di una Flash. La nuova famiglia di FRAM SPI MB85RSxxx comprende 3 dispositivi, MB85RS256A, MB85RS128A e MB85RS64A, con tagli di memoria, rispettivamente, di 256Kbit, 128Kbit e 64Kbit. Tutti i dispositivi operano con tensioni comprese tra 3.0 e 3.6V, offrono 10 miliardi di cicli di scrittura/lettura e sono in grado di conservare i dati per 10 anni a una temperatura di 55°C. La frequenza operativa è stata notevolmente aumentata fino a un massimo di 25MHz, inoltre i prodotti FRAM, non avendo bisogno dell’elevatore di tensione per il processo di scrittura, sono perfetti per le applicazioni che richiedono basso consumo. I dispositivi sono disponibili in package SOP di plastica a 8 pin con piedinatura tipica dei dispositivi di memoria, perfettamente compatibili con i dispositivi EEPROM.

Grazie a una attività di ricerca e sviluppo interna e a fabbriche proprie, Fujitsu può ottimizzare una stretta collaborazione tra progettazione e produzione, il che le consente di creare la base per un prodotto di elevata qualità da offrire sul mercato attraverso una filiera di produzione stabile.
Oltre alla famiglia di FRAM SPI, Fujitsu offre dispositivi standalone FRAM dotati di interfacce I²C e parallele. I tagli di memoria vanno da 16Kbit a 4Mbit. Fujitsu intende ampliare la sua gamma di prodotti FRAM per soddisfare le crescenti richieste del mercato.
I dispositivi di memoria standalone FRAM sono ampiamente utilizzati nelle applicazioni di misura e automazione industriale, oltre che in diversi segmenti industriali, dove la raccolta dei dati, l’alta velocità di scrittura e l’elevato numero di cicli di lettura/scrittura sono aspetti essenziali. Idealmente la FRAM può sostituire tutte le soluzioni che richiedono una memoria tamponata a batteria consentendo in questo modo la realizzazione di prodotti più ecologici.
 

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