IGBT ad alta efficienza da Magnachip

Magnachip Semiconductor ha sviluppato una nuova serie di IGBT progettati per l’impiego in inverter solari e sistemi di accumulo di energia (ESS) industriali.

Si tratta di una nuova generazione di IGBT discreti da 650 V e 1200 V che sfruttano la tecnologia Advanced Field Stop Trench, con un design migliorato e una tecnologia di processo perfezionata rispetto alla generazione precedente. In particolare, il passo delle celle è stato ridotto di circa il 40%, aumentando significativamente la capacità di corrente all’interno della stessa area del die. Inoltre, Magnachip precisa che l’RBSOA, che definisce i limiti operativi di sicurezza del semiconduttore, è stata migliorata di oltre il 30%, garantendo una elevata stabilità in condizioni di alta tensione e alta corrente.

Con l’introduzione di questi nuovi prodotti, l’azienda amplia il suo portafoglio per coprire un’ampia gamma di capacità, dagli inverter residenziali ai sistemi industriali fino a 150 kW, consentendo ai clienti di selezionare i prodotti più adatti al proprio ambiente operativo.

I nuovi prodotti sono disponibili sia in package TO-247 standard che TO-247 Plus ad alta capacità, ma l’azienda prevede di aggiungere il package TO-247-4Lead, dotato di un pin Kelvin per una migliore efficienza di commutazione.

Magnachip prevede inoltre di ampliare ulteriormente la gamma di prodotti nella prima metà del 2026 introducendo una serie ad alta corrente nominale fino a 650 V 150 A, oltre a nuovi prodotti da 750 V.

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