Un white paper su PowiGaN da Power Integrations

Un nuovo white paper di Power Integrations illustra i vantaggi della tecnologia PowiGaN a 1250 V rispetto a quelle GaN a 650 V e SiC a 1200 V. Il documento è stato pubblicato all’OCP Global Summit 2025 di San Jose, dove NVIDIA ha fornito un aggiornamento sull’architettura a 800 VDC. Power Integrations sta infatti collaborando con NVIDIA per accelerare la transizione verso l’alimentazione a 800 VDC e rack su scala megawatt.

Il nuovo white paper è focalizzato sui benefici in termini di prestazioni dei primi HEMT PowiGaN da 1250 V di Power Integrations, descrivendone la capacità di soddisfare i requisiti di elevata densità di potenza ed efficienza (oltre il 98%) dell’architettura a 800 VDC.

Inoltre, il white paper spiega come un singolo switch PowiGaN da 1250 V possa offrire una maggiore densità di potenza ed efficienza rispetto ad altri FET GaN da 650 V stacked e ai dispositivi SiC da 1200 V.

“Con l’aumento della domanda di alimentazione per l’intelligenza artificiale, il passaggio a un ingresso a 800 VDC semplifica la progettazione dei rack, consente un utilizzo più efficiente dello spazio e riduce l’utilizzo del rame”, ha affermato Roland Saint-Pierre, vicepresidente dello sviluppo prodotti di Power Integrations. “Con l’aumento della domanda di alimentazione per i rack, consideriamo i dispositivi PowiGaN da 1250 V e 1700 V come scelte ideali per l’alimentazione principale e ausiliaria, offrendo l’efficienza, l’affidabilità e la densità di potenza richieste nei data center da 800 VDC”.

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