Una tecnologia innovativa per inverter EV da CGD

Cambridge GaN Devices (CGD) ha fornito maggiori dettagli su una soluzione che permetterà di realizzare applicazioni powertrain per EV da oltre 100 kW con la sua tecnologia ICeGaN.

Combo ICeGaN combina infatti IC HEMT ICeGaN intelligenti e IGBT nello stesso modulo o IPM, massimizzando l’efficienza e offrendo un’alternativa conveniente alle soluzioni realizzate in carburo di silicio (SiC).

L’approccio proprietario Combo ICeGaN sfrutta il fatto che i dispositivi ICeGaN e IGBT possono essere utilizzati in un’architettura parallela con intervalli di tensione di pilotaggio simili (ad esempio 0-20 V) e un’elevata robustezza del gate. In funzione, lo switch ICeGaN è molto efficiente, con bassa conduzione e basse perdite di commutazione a correnti relativamente basse (carico leggero), mentre l’IGBT è dominante a correnti relativamente elevate (verso il pieno carico o durante condizioni di sovratensione).

Giorgia Longobardi, fondatrice e CEO di cgd, ha dichiarato:  “Oggi, gli inverter per powertrain EV utilizzano IGBT, che sono economici ma inefficienti in condizioni di carico leggero, o dispositivi SiC, che sono molto efficienti ma anche costosi. La nostra nuova soluzione Combo ICeGaN rivoluzionerà il settore EV combinando in modo intelligente i vantaggi delle tecnologie GaN e silicio, lasciando bassi i costi e mantenendo i massimi livelli di efficienza, il che, naturalmente, significa una ricarica più rapida e una maggiore autonomia. Stiamo già lavorando con i produttori di EV automotive Tier One e i loro partner della supply chain per portare questo progresso tecnologico sul mercato.”

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