Da Innoscience il design di un alimentatore ad alta densità basato su componenti GaN

Innoscience Technology ha realizzato un nuovo alimentatore dimostrativo da 140 W a densità ultra-alta che utilizza i dispositivi HEMT (high-electron-mobility-transistor) basati sui GaN ad alta e bassa tensione dell’azienda per ottenere efficienze superiori al 95%.

L’alimentatore misura 60x60x22 mm e presenta una densità di potenza pari a 1,76 W/cm3.

L’adattatore CA/CC a 300 kHz da 140 W utilizza una topologia CRM Totem Pole PFC + AHB e utilizza un HEMT al GaN da 650 V/140 mΩ (Innoscience INN650DA140A) con package DFN da 5×6 mm per gli switch S1 e S2, un INN650D240A da 650 V/240 mΩ con package DFN da 8×8 mm per S3 e un INN650DA240A, un dispositivo da 650 V/240 mΩ con package DFN da 5×6 mm per quello S4. Gli switch S5 e S6, invece, sono ottenuti con un componente LGA (Land Grid Array) da 150V/ 7 mΩ (INN150LA070A) e 2,2 x 3,2 mm della gamma di HEMT al GaN a bassa tensione di Innoscience.

L’azienda sottolinea che questo alimentatore, pensato per utensili automatici e notebook USB PD3.1, presenta un’efficienza del 2% superiore rispetto a quelli realizzati con componenti in silicio.

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