Maggiore efficienza nella conversione della potenza con le tecnologie SiC e GaN

Dalla rivista:
EO Power

 

L’efficienza di conversione dell’energia è un argomento estremamente importante, perché ogni Watt sprecato contribuisce all’aumento del riscaldamento globale e dei costi operativi a carico dell’utente finale: per questo motivo si guarda con sempre maggiore attenzione alle nuove tecnologie SiC e GaN che, oltre a mostrare un notevole potenziale di miglioramento in termini di efficienza, lasciano la porta aperta per ulteriori futuri progressi

Leggi l’articolo completo su EO Power 25

Milan Ivkovic, Director Segment Analog/Power & Technical Support Center Manager - EBV

Contenuti correlati

• 
  Da Cyient Semiconductors 7 dispositivi GaN da 650 V

  Cyient Semiconductors ha presentato i primi risultati della sua collaborazione strategica con Navitas Semiconductor annunciata a dicembre 2025. Si tratta di sette nuovi dispositivi GaN destinati al mercato indiano, sviluppati sulla tecnologia di Navitas. In base ai...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Nuovi gate driver da STMicroelectronics

  STMicroelectronics ha realizzato due nuovi gate driver che ottimizzano i vantaggi della tecnologia GaN. Si tratta due dispositivi half-bridge ad alta velocità, siglati rispettivamente Stdriveg212 e Stdriveg612 utilizzabili per applicazioni di potenza e controllo del movimento in...
• 
  Partnership tra SemiQ e NAC Semi

  SemiQ, azienda specializzata in soluzioni in carburo di silicio (SiC), ha annunciato un accordo di distribuzione con NAC Semi(NAC Group), azienda di servizi di progettazione e distribuzione di componenti elettronici. Questa partnership permette un accesso semplificato a...
• 
  Accordo di licenza tra EPC e Renesas

  Efficient Power Conversion e Renesas hanno siglato un accordo di licenza in base al quale Renesas avrà accesso alla tecnologia eGaN a bassa tensione di EPC e al suo ecosistema di supply chain, accelerando l’adozione di soluzioni GaN...
• 
  I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota

  Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano...
• 
  Partnership tra Navitas e Cyient Semiconductors

  Navitas Semiconductor, specializzata in semiconduttori di potenza GaN e SiC, e Cyient Semiconductors, focalizzata nello sviluppo di semiconduttori ASIC, ASSP e di potenza, hanno stretto una partnership strategica pluriennale. L’obiettivo di questa collaborazione è la creazione in...
• 
  ROHM lancia un modulo SiC 2-in-1

  ROHM ha annunciato un nuovo modulo SiC 2-in-1 (SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx) DOT-247 . La famiglia è caratterizzata da moduli con una struttura combinata composta da due package TO-247, soluzione che consente di utilizzare chip di grandi dimensioni e...
• 
  MOSFET SiC 650 V di terza generazione da Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha introdotto tre nuovi MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 650 V, che integrano i più recenti chip di terza generazione dell’azienda. I modelli , siglati rispettivamente TW027U65C, TW048U65C e TW083U65C, utilizzano un...
• 
  Infineon avanza nella produzione su wafer da 300 mm

  Infineon Technologies ha comunicato lo stato di avanzamento per la sua produzione scalabile di GaN su wafer da 300 millimetri. I primi campioni per i clienti saranno disponibili a partire dal quarto trimestre del 2025. La strategia...