Infineon abilita nuove applicazioni per il carburo di silicio

Infineon Technologies ha ampliato la sua famiglia di moduli MOSFET 1200 V CoolSiC con una versione in package formato 62mm.

Il nuovo dispositivo è stato progettato con topologia half bridge e si basa sulla tecnologia Trench.

Rispetto a un modulo IGBT da 62 mm, l’elenco delle applicazioni rese possibili dalla nuova versione include ora anche sistemi fotovoltaici, server, sistemi di energy storage, caricabatterie EV, trazione, cottura a induzione commerciale e sistemi di conversione di potenza.

Il modulo da 62 mm è dotato dei MOSFET CoolSiC che consentono di ottenere un’alta densità di corrente. Perdite di commutazione e conduzione molto basse riducono al minimo le esigenze di raffreddamento, mentre il funzionamento del dispositivo ad alta frequenza di commutazione consente l’utilizzo di componenti magnetici più piccoli.

Dotato di base plate e collegamenti a vite, l’alloggiamento è caratterizzato da un design meccanico molto robusto che è ottimizzato per la massima disponibilità del sistema e un costo minimo di servizio.

Il design interno simmetrico dell’alloggiamento consente condizioni di commutazione identiche per switch superiore e inferiore.

Come opzione, le prestazioni termiche del modulo possono essere ulteriormente migliorate con thermal interface Material (TIM) pre-applicato .

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