I nuovi transistor GaN di Infineon resistenti alle radiazioni

Infineon Technologies ha annunciato il primo componente di una nuova famiglia di componenti realizzati con tecnologia al nitruro di gallio (GaN) resistenti alle radiazioni. Questi transistor sono stati realizzati sulla base della tecnologia CoolGan e sono stati concepiti per operare in ambienti spaziali. Infineon sottolinea che questo nuovo prodotto è il primo transistor GaN realizzato internamente ad aver ottenuto la massima certificazione di affidabilità assegnata dalla Defense Logistics Agency (DLA) degli Stati Uniti per la specifica MIL-PRF-19500/794 Joint Army Navy Space (JANS).

I nuovi dispositivi HEMT (High Electron Mobility Transistor) in GaN resistenti alle radiazioni sono utilizabili per applicazioni mission-critical richieste da veicoli spaziali in orbita, esplorazione spaziale con equipaggio e sonde per lo spazio profondo.

Le prime tre varianti di prodotto della nuova linea di transistor GaN resistenti alle radiazioni sono dispositivi da 100 V e 52 A con una resistenza tipica drain source (DRS) di 4 mΩ (RDS(on)) e una carica totale di gate (Qg) tipica di 8,8 nC. Ospitati in package ceramici a montaggio superficiale ermeticamente sigillati, i transistor sono resistenti a Single Event Effect (SEE) fino a LET (GaN) = 70 MeV.cm²/mg (ione Au). Due dispositivi, non certificati JANS, sono stati sottoposti a screening per una dose ionizzante totale (TID) di 100 krad e 500 krad. Il terzo dispositivo, schermato a 500 krad TID, è qualificato secondo la specifica JANS MIL-PRF-19500/794.

Infineon sta inoltre producendo diversi lotti prima del rilascio completo della produzione di dispositivi JANS per garantire l’affidabilità produttiva a lungo termine.

Engineering sample e schede di valutazione sono già disponibili, mentre il rilascio del dispositivo JANS finale è previsto per l’estate del 2025.

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