Toshiba Electronics Europe ha realizzato una nuova serie di MOSFET che integra una struttura a clamp attivo con un diodo integrato tra i terminali di drain e di gate.
Questi MOSFET integrano inoltre una resistenza di pull-down, una resistenza serie e un diodo Zener, che contribuiscono a diminuire il numero di componenti esterni e a ridurre l’occupazione di spazio su PCB.
I nuovi componenti sono siglati SSM3K357R e SSM6N357R e sono destinati al pilotaggio di carichi induttivi, come i relè meccanici o i solenoidi.
La nuova serie 357 protegge i driver contro possibili danni prodotti da sbalzi di tensione, come quelli causati dalla forza controelettromotrice generata da un carico induttivo.
I dispositivi sopportano una tensione drain-source massima (VDSS) di 60V e una corrente di drain (ID) massima di 0,65A. Il valore di resistenza di ON al drain-source (RDS(ON)), pari a 800mΩ a VGS = 5,0 V, assicura un funzionamento efficiente con una produzione di calore minima.