Toshiba Electronics Europe sta lavorando attivamente anche sul versante dei package, che comunque hanno una importanza rilevante per le prestazioni, soprattutto termiche. Recentemente il produttore ha annunciato due MOSFET di potenza a canale N, siglati rispettivamente TPM1R908QM (a 80 V) e TPM7R10CQ5 (a 150 V), ospitati nel nuovo package SOP Advance(E) di Toshiba. Questo package offre un sostanziale miglioramento rispetto alla versione SOP Advance(N) esistente, grazie ad una riduzione della resistenza del package di circa il 65 % e della resistenza termica di circa il 15 %. Questi miglioramenti si traducono direttamente in migliori prestazioni del dispositivo.
L’azienda sottolinea che le riduzioni della resistenza e l’assenza di aumenti di temperatura, ottenute grazie alla migliore resistenza termica, contribuiscono ad offrire una resistenza di on complessiva inferiore. Questa combinazione consente infatti di ridurre le perdite e di aumentare l’efficienza in applicazioni critiche, come gli alimentatori a commutazione per gli apparecchi industriali, compresi quelli per i data center e alle stazioni base per comunicazioni.
Per quanto riguarda i modelli annunciati, il MOSFET TPM1R908QM a 80 V offre una riduzione della resistenza di on al drain-source (RDS(ON)) di circa il 21 % e della resistenza termica canale-case (Rth(ch-c)) di circa il 15 % rispetto al prodotto esistente di Toshiba, il modelloTPH2R408QM, a parità di tensione nominale. Analogamente, il modello TPM7R10CQ5 a 150 V consente di ottenere una RDS(ON) inferiore di circa il 21 % e una Rth(ch-c) ridotta di circa il 15 % rispetto al dispositivo TPH9R00CQ5 esistente, sempre a parità di tensione.
Per le altre caratteristiche tecniche, il MOSFET TPM7R10CQ5 è dotato di un diodo incorporato ad alta velocità per una maggiore efficienza nella rettifica sincrona.