SSM6N813R è un nuovo MOSFET duale di Toshiba Electronics Europe caratterizzato da livelli elevati di protezione dalle ESD. Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni automotive per esempio come driver per i fari LED, che richiedono il supporto a tensioni elevate e un ingombro ridotto.
La tensione massima di drain source (VDSS) è di 100V e rende questo MOSFET idoneo per le applicazioni di illuminazione che richiedono più LED, una capacità supportata grazie agli elevati livelli di immunità alle ESD del dispositivo.
Per le altre principali caratteristiche tecniche, la dissipazione di potenza massima è di 1,5W e resistenza di ON (RDS(ON)) è di 112mΩ. I dispositivi sono in grado di supportare correnti di drain (ID) fino a 3,5A.
I dual MOSFET SSM6N813R sono alloggiati in un package TSOP6F che misura 2,9×2,8×0,8mm, delle stesse dimensioni di un package SOT23, e presentano un ingombro che è inferiore del 70% rispetto a quello di un package SOP8.
Il dispositivo è già prodotto in volumi.