STMicroelectronics realizzerà a Catania un nuovo impianto per la produzione in grandi volumi di substrati SiC da 200 mm destinati a dispositivi e moduli di potenza, ma anche per implementare attività di test e packaging.
L’azienda precisa che i diversi impianti in allestimento in questo sito sito formeranno il Silicon Carbide Campus di ST, che realizzerà la visione dell’azienda di una completa integrazione verticale degli impianti manifatturieri per la produzione su larga scala su SiC in un unico sito.
Gli obiettivi previsti per il nuovo impianto sono l’avvio della produzione nel 2026 e il ramp-up alla piena capacità entro il 2033, con una produzione a regime (full built-out) fino a 15.000 wafer a settimana.
Per questa operazione è stato previsto un investimento complessivo di circa cinque miliardi di euro, con un sostegno finanziario di circa due miliardi di euro da parte dello Stato italiano nel quadro del Chips Act dell’Unione Europea.
Jean-Marc Chery, President & Chief Executive Officer di STMicroelectronics ha dichiarato: “Le capacità completamente integrate sbloccate dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno in misura significativa alla leadership di ST nella tecnologia SiC per clienti dei settori automotive e industriale nei prossimi decenni.”
“Le dimensioni di scala e le sinergie offerte da questo progetto ci consentiranno di attuare una migliore innovazione con capacità produttive in grandi volumi, a vantaggio dei nostri clienti europei e globali che nel compiere la transizione verso l’elettrificazione sono alla ricerca di soluzioni più efficienti sotto il profilo energetico per centrare gli obiettivi di decarbonizzazione.”