ON Semiconductor ha ampliato la sua offerta di prodotti destinati al mercato dei veicoli elettrici (EV) con una coppia di moduli MOSFET SiC (Silicon Carbide) da 1200 V in configurazione 2-PACK.
I nuovi moduli MOSFET SiC M1 sono basati sulla tecnologia planare e adatti per tensioni di pilotaggio comprese tra 18 e 20 V. Questi componenti sono semplici da pilotare con tensioni di gate negative e le maggiori dimensioni del die permettono di ridurre la resistenza termica rispetto ai MOSFET di tipo trench, con conseguente diminuzione della temperatura del die a parità di temperatura di funzionamento.
Disponibile in configurazione 2-PACK (a semiponte), NXH010P120MNF è un dispositivo con RDS(on) di 10 mohm alloggiato in un package F1 mentre NXH006P120MNF2 è un dispositivo con RDS(on) di 6 mohm ospitato in un package F2.
Entrambi i package dispongono di pin di tipo a pressione (press fit) e quindi risultano particolarmente adatti per impieghi in campo industriale, mentre il termistore a coefficiente di temperatura negativo (NTC) integrato semplifica il monitoraggio della temperatura.