Rutronik ha annunciato la disponibilità del MOSFET di potenza serie E SIHD180N60ET4-GE3 di Vishay. I MOSFET ad alte prestazioni sono caratterizzati dalla loro bassa resistenza RDS(on) di 0,17 Ω, nonché da una bassa capacità di ingresso (CISS) di 1.080 pF e ridotte perdite di commutazione e di potenza. I componenti sono utilizzabili per applicazioni ad alte temperature di esercizio nei settori industriale, dell’alimentazione elettrica, delle energie rinnovabili, dell’illuminazione e delle telecomunicazioni.
I nuovi MOSFET utilizzano la tecnologia di quarta generazione della serie E di Vishay, sono caratterizzati da una bassa capacità di uscita di 39 pF e un basso FOM. Sono particolarmente adatti per applicazioni come alimentatori switching, caricabatterie, inverter fotovoltaici o lampade fluorescenti con reattori.