Nexperia ha introdotto i trench MOSFET a canale N PMCB60XN e PMCB60XNE a 30 V nel package ultracompatto DSN1006 per applicazioni dove lo spazio è limitato e l’autonomia della batteria è un fattore fondamentale .
I nuovi MOSFET sono particolarmente interessanti per dispositivi altamente miniaturizzati come smartphone, smartwatch, apparecchi acustici e auricolari.
PMCB60XN e PMCB60XNE hanno un RDS(on) massimo rispettivamente di 50 mΩ e 55 mΩ, a VGS = 4,5 V. Inoltre, il modello PMCB60XNE è dotato di protezione ESD classificata a 2kV (modello del corpo umano – HBM) integrata. Entrambi i MOSFET sono classificati per drain current fino a 4 A.
Oltre a questi due MOSFET con package DSN1006, Nexperia ha introdotto anche il modello PMCA14UN, un MOSFET trench a canale N a 12 V con un package DSN1010. Con un RDS(on) massimo di 16 mΩ a VGS = 4,5 V, PMCA14UN offre un’elevata efficienza.
I nuovi MOSFET di Nexperia sono già in produzione e disponibili.