Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm.
Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere bassi valori di RDS(on) e Qrr, per offrire alta efficienza in applicazioni tra cui server, alimentatori, caricabatterie rapidi e USB-PD, nonché per un’ampia gamma di dispositivi per telecomunicazioni, controllo motore e altre apparecchiature industriali. I progettisti possono scegliere tra una gamma di dispositivi da 80 V e 100 V, con RDS(on) da 1,8 mΩ a 15 mΩ.
Nexperia ha notevolmente ridotto il livello di spiking prodotto dai suoi MOSFET NextPower a 80/100 V focalizzandosi sui valori di Qrr. Questo parametro ha ripercussioni anche per quanto riguarda l’abbassamento della quantità di EMI. Ciò comporta notevoli vantaggi per gli utenti finali dato che viene ridotta la possibilità che si debba ricorrere a una costosa riprogettazione in fase avanzata per includere componenti esterni aggiuntivi nel caso di non superamento dei test di compatibilità elettromagnetica (EMC).
Nexperia sottolinea che il valore di RDS(on) di questi nuovi MOSFET è stata ridotta fino al 31% rispetto ai dispositivi attualmente disponibili. Il produttore prevede inoltre di rafforzare ulteriormente il suo portafoglio NextPower 80/100 V nell’arco di quest’anno con il rilascio di un MOSFET LFPAK88 aggiuntivo che offre RDS(on) fino a 1,2 mΩ a 80 V, oltre a introdurre il package CCPAK1212 ad alta densità di potenza nella sua offerta. Per supportare ulteriormente la progettazione e la qualificazione di questi dispositivi, Nexperia offre la disponibilità di datasheet interattivi, fornendo agli ingegneri approfondimenti completi sul comportamento dei dispositivi.