Il produttore di semiconduttori di potenza in carburo di silicio UnitedSiC ha realizzato quattro nuovi FET SiC con livelli RDS (ON) di 7mohm. Questi valori particolarmente bassi sono molto interessanti per applicazioni ad alta potenza come gli inverter per veicoli elettrici ( EV), convertitori DC/DC ad alta potenza, caricabatterie con elevate correnti e interruttori automatici a stato solido.
Dei quattro nuovi FET SiC UF3C, uno può operare a tensioni di 650 V con RDS (ON) di 7mohm e tre a 1200 V con RDS (ON) di 9 e 16mohm. Tutti questi componenti sono disponibili in package TO247.
Questi nuovi FET SiC in sostanza combinano un JFET SiC di terza generazione ad alte prestazioni e un MOSFET in silicio ottimizzato in cascata. Questa configurazione del circuito permette di realizzare un dispositivo veloce ed efficiente ospitato in un package diffuso che può essere pilotato con le stesse tensioni di gate degli IGBT in silicio, dei MOSFET in silicio e dei MOSFET SiC.
Per quanto riguarda la disponibilità, la produzione in volumi è prevista per il secondo trimestre del 2020.