ON Semiconductor ha introdotto un modulo di potenza con tecnologia SiC per applicazioni nel settore degli inverter fotovoltaici. Questo modulo è stato selezionato da Delta per la realizzazione dei suoi inverter fotovoltaici di stringa trifase della linea M70A.
La famiglia di moduli di potenza SiC NXH40B120MNQ integrano un MOSFET SiC da 1200 V e un diodo boost SiC da 1200V, 40A con un doppio stadio di boost.
“La tecnologia del carburo di silicio ha tutte le potenzialità per rivoluzionare il mercato dell’energia” – ha sostenuto Asif Jakwani, senior vice president della Advanced Power Division di ON Semiconductor. “I moduli di potenza integrati realizzati completamente in SiC sviluppati da ON Semiconductor soddisfano la richiesta di una maggiore efficienza a livello di sistema in applicazioni come gli inverter fotovoltaici dove sono in gioco potenze elevate, oltre a essere una chiara dimostrazione del grado di maturità della tecnologia SiC”.
“In linea con la nostra strategia finalizzata allo sviluppo di soluzioni innovative, pulite ed efficienti sotto il profilo energetico che permetteranno di costruire un futuro migliore – ha affermato Raymond Lee, responsabile della PV Inverter Business Unit di Delta – ricerchiamo sempre la collaborazione di fornitori che ci possono aiutare a ottenere la massima efficienza, ridurre peso e volume dei nostri prodotti e soddisfare al meglio le necessità del mercato globale degli inverter fotovoltaici. I moduli di potenza realizzati interamente in SiC di ON Semiconductor sono stati scelti per la realizzazione del nostro inverter di stringa trifase M70A da 70 kW perché sono in grado di garantire le migliori prestazioni. L’adozione di questo moduli, abbinata alla nostra esperienza nel settore dell’elettronica di potenza ad alta efficienza, consente ai nostri prodotti di ottenere efficienze di picco nella conversione di energia fino al 98,8%”.