Diodes Incorporated ha annunciato il rilascio dei suoi primi diodi a barriera Schottky (SBD) al carburo di silicio (SiC). Il portafoglio comprende la serie DIODES DSCxxA065 con undici prodotti da 650 V (4 A, 6 A, 8 A e 10 A) e la serie DIODES DSCxx120 con otto prodotti da 1200 V (2 A, 5 A e 10 A).
Questi SBD wide-bandgap offrono i vantaggi di un’efficienza significativamente migliorata e dell’affidabilità alle alte temperature, rispondendo anche alle richieste del mercato di costi di gestione del sistema ridotti e bassa manutenzione. I dispositivi sono utilizzabili per la realizzazione di convertitori switching AC-DC, DC-DC e DC-AC, inverter fotovoltaici, gruppi di continuità e applicazioni di azionamento di motori industriali. Questi dispositivi possono essere utilizzati anche per un’ampia varietà di altri circuiti, come i convertitori boost per la correzione del fattore di potenza.