ROHM ha realizzato la serie RGWxx65C (i modelli sono siglati rispettivamente RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR), composta da IGBT ibridi con diodo Schottky SiC da 650 V integrato.
I dispositivi sono conformi allo standard AEC-Q101 per il settore automotive e sono utilizzabili per applicazioni automotive ed industriali che gestiscono elevate potenze, come convertitori di potenza per il settore fotovoltaico, OBC (on board chargers) e convertitori DC/DC usati sui veicoli elettrici e ibridi (xEV).
La serie RGWxx65C impiega i diodi Schottky SiC a basse perdite di ROHM come diodo di free wheeling dell’IGBT, che presenta un’energia di recupero pressoché nulla e di conseguenza una perdita di commutazione minima del diodo. Inoltre, dal momento che la corrente di recovery non deve essere gestita dall’IGBT all’accensione, la perdita di turn-on dell’IGBT viene significativamente ridotta. Entrambi gli effetti sommati danno come risultato una perdita inferiore fino del 67% rispetto agli IGBT con diodo convenzionale e fino al 24% rispetto ai MOSFET Super Junction (SJ MOSFET) quando vengono usati nei caricabatteria dei veicoli.