Cree e STMicroelectronics hanno ampliato ed esteso l’accordo pluriennale a lungo termine già esistente per la fornitura di wafer in carburo di silicio (SiC) da parte di Cree. Questa estensione porta il valore a oltre 500 milioni di dollari, raddoppiandolo rispetto all’accordo originale per la fornitura.
“L’ampliamento dell’accordo a lungo termine con Cree per la fornitura di wafer aumenterà la flessibilità delle nostre scorte di substrati in carburo di silicio a livello globale. Contribuirà inoltre a garantire il volume di substrati di cui abbiamo bisogno per realizzare i nostri prodotti basati su SiC mentre facciamo il ramp up della produzione nei prossimi anni per un numero crescente di programmi che ci siamo aggiudicati presso clienti del settore industrial e del mercato automotive,” ha detto Jean-Marc Chery, President & CEO di STMicroelectronics.
“Il carburo di silicio offre miglioramenti di prestazioni che sono critici per i veicoli elettrici e per una serie di soluzioni industriali di nuova generazione destinate a impianti solari, sistemi di accumulo dell’energia e gruppi di continuità,” ha dichiarato Gregg Lowe, CEO di Cree. “Cree riconferma il suo impegno a guidare la transizione dell’industria dei semiconduttori dal silicio al carburo di silicio; l’estensione dell’accordo con ST ci mette in condizioni di rispondere all’accelerazione della domanda globale di questa soluzione in un’ampia gamma di applicazioni e di dare impulso al mercato.”