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EON
EWS
n.
551
-
MARZO
2012
dell’elettronica di potenza, compli-
ce anche il boom economico che
ha investito le nazioni asiatiche in
via di sviluppo. Sempre più cine-
si acquistano elettrodomestici e
apparecchiature elettroniche; e la
domanda è destinata ad aumenta-
re anche per via della legislazione
in tema di risparmio energetico
introdotta dal nuovo Piano Quin-
quennale cinese.
La richiesta di circuiti per ricari-
care le batterie degli smartphone
sarà responsabile della crescita del
segmento dei regolatori AC-DC,
dei controller per alimentatori a
commutazione e dei Mosfet. In ge-
nerale a spingere tutti i segmen-
ti dell’elettronica di potenza sarà
il mercato dell’automobile che,
quantomeno a livello mondiale,
pare non conoscere crisi. L’espan-
sione del settore automobilistico
e delle energie rinnovabili è de-
stinata a continuare nei prossimi
anni, specialmente per la crescente
diffusione di impianti a energia
solare e di autovetture a trazione
elettrica ed ibrida. Il solare fotovol-
taico in particolare sta stimolando
le vendite di Mosfet di potenza,
impiegati negli inverter e nei ret-
tificatori utilizzati assieme ai pan-
nelli solari.
Già nel settembre dell’anno scorso,
dopo aver rilevato il recupero del
40% nel 2010 e nonostante la limi-
tata crescita prevista per fine 2011,
IMS Research aveva pronosticato
un futuro roseo per i moduli e dei
componenti discreti di potenza.
Secondo le stime degli analisti, en-
tro il 2015 il fatturato globale per
questi dispositivi arriverà a toccare
la ragguardevole cifra di 25,5 mi-
liardi di dollari, 10 miliardi di dol-
lari in più rispetto all’anno scorso.
FUTURO ROSEO PER IL GAN
Prospettive più che rosee per i se-
miconduttori di potenza di nuova
generazione ad ampio gap: i com-
ponenti in nitruro di gallio (GaN)
e carburo di silicio (SiC), attual-
mente relegati in un angolo del
mercato dei dispositivi di potenza
(con un fatturato di 50 milioni di
dollari contro i 14 miliardi di dol-
lari del mercato dei componenti di
potenza in silicio) sono destinati
a crescere a ritmi vertiginosi. Nel
report “Next-Generation Power
Semiconductors: Markets Mate-
rials, Technologies” della società di
ricerche di mercato The Informa-
tasso di crescita annuale compo-
sto del 72% sul periodo 2010-2015
per arrivare a toccare quota 500
milioni di dollari. IGBT e Mosfet
in silicio continuano a rimanere i
veri motori della crescita dei semi-
conduttori di potenza il cui fattu-
rato è destinato a crescere dai 14,2
miliardi di dollari del 2011 a 16,7
miliardi di dollari nel 2013 (+3,7%
in media).
Si spingono un po’ più in là nel fu-
turo le proiezioni di Yole Dévelop-
pement
e nel suo
studio “Power GaN – 2012 edition”
pronostica che nel 2019 i dispositi-
vi in nitruro di gallio muoveranno
un fatturato di oltre un miliardo di
dollari. Sul breve termine, a fronte
di una stima di meno di 2,5 milio-
ni di dollari per il 2011, gli analisti
di Lione prevedono l’ascesa a livelli
di 10 milioni di dollari nel 2012 e
di 50 milioni di dollari nel 2013,
anno che vedrà l’ingresso di nuovi
attori sul mercato.
Le rosee previsioni per il 2019 so-
no tuttavia subordinate, secondo
Yole Développement all’accetta-
zione dei dispositivi in GaN da
parte del settore automobilistico
per la produzione di veicoli a tra-
zione elettrica ed ibrida, un set-
tore in cui dovrebbero vincere la
concorrenza dei cugini in carburo
di silicio e dei più tradizionali e
ben consolidati componenti in si-
licio.
Nel frattempo i produttori di LED
cominciano a guardare al settore
della potenza in GaN con inte-
resse, osservano i ricercatori di
Yole Développement. Avendo in
comune parte della tecnologia di
fabbricazione, LED e dispositivi di
potenza in nitruro di gallio sono
intimamente legati tra loro e al-
cuni produttori di LED pensano
appunto di dedicare parte della
produzione al promettente mer-
cato della potenza in GaN.
Il mercato dell’illuminazione a
LED, a sua volta, stimola la do-
manda di dispositivi di potenza
utilizzati negli alimentatori. Una
ricerca di IMS Research pubbli-
cata a inizio febbraio rileva come
la crescente adozione dell’illumi-
nazione allo stato solido potrebbe
portare all’immissione sul mer-
cato di oltre quattro miliardi di
alimentatori entro il 2016, per un
fatturato complessivo di 10 mi-
liardi di dollari.
I
I 4,5% del fatturato mondiale
dei dispositivi a semiconduttore
è dovuto alle vendite di dispositivi
di potenza; è quanto rileva uno
studio pubblicato lo scorso feb-
braio da Frost and Sullivan
l titolo “Global Mar-
ket for Power Semiconductors”.
Nonostante lo scivolone globale
dovuto alla terribile congiuntura
del 2008, la domanda di disposi-
tivi di potenza è rimasta soste-
nuta e si prevede che continuerà
ad aumentare per i prossimi tre
anni. Cresce infatti la richiesta
di apparecchiature elettroniche
consumer in tutto il mondo, con
particolare enfasi nei mercati
asiatici emergenti e in Europa.
Visto il trend degli ultimi anni
non stupisce che a spingere in
maggior misura siano i segmenti
delle apparecchiature di comu-
nicazione, in particolare quelle
portatili. Una prima conseguen-
za è una corrispondente cresci-
ta di componenti elettronici di
potenza, specialmente circuiti
integrati, necessari ad alimen-
tarle. Ad esempio, nonostante il
rallentamento nell’ultimo trime-
stre dell’anno scorso, la doman-
da di smartphone continuerà a
mantenersi alta per tutto il 2012,
trascinando con sé i segmenti de-
gli integrati per la gestione della
potenza e in particolare per la
gestione delle batterie ricarica-
bili (fonte: IMS Research -
Sta inoltre irrobusten-
dosi anche la richiesta
di nuove soluzioni de-
stinate al mercato indu-
striale che a sua volta si
traduce in un aumento
della domanda di com-
ponenti di potenza di-
screti.
La società di analisi di
mercato IMS Research
conferma il trend posi-
tivo, pur se a rilento, e
dopo aver registrato un
incremento del fatturato mon-
diale del 3,7% nel 2011, prono-
stica una crescita del 5,0% per il
2012. Alla fine dell’anno, il fattu-
rato globale dei semiconduttori
di potenza toccherà quota 32 mi-
liardi di dollari. Per tornare alle
crescite a due cifre, fanno sapere
da IMS, si dovrà pazientare al-
meno fino al 2013. L’incertezza
della situazione economica con-
tinua dunque a farsi sentire.
BENE MODULI E DISCRETI
Relativamente ai vari segmenti
di mercato, IMS rileva come nel
2011 i circuiti integrati di poten-
za abbiano fatto registrare una
crescita di quasi tre punti per-
centuali inferiore rispetto a quel-
la dei componenti discreti. La
situazione dovrebbe comunque
invertirsi nel corso del 2012 con
il sorpasso, pur se di poco, degli IC
sui discreti; entrambi i segmenti
continueranno tuttavia a essere
surclassati dai moduli di potenza
la cui crescita a doppia cifra nel
2011 è destinata a ripetersi nei
quattro anni successivi. A spingere
la crescita sarà la domanda di mo-
duli a IGBT (Insulated Gate Bipo-
lar Transistor). Gli IGBT trovano
applicazione negli impianti indu-
striali e di produzione di energia
rinnovabile, così come nei grandi
elettrodomestici come condiziona-
tori e lavatrici.
Il mondo consumer contribuisce
non poco a sostenere il mercato
Elettronica
di potenza
Continua il periodo positivo per i semiconduttori
di potenza, trascinati dal segmento dei moduli
e dei componenti discreti e dalla domanda automotive
e consumer a livello mondiale
M
ASSIMO
G
IUSSANI
Fig. 2 - I
dispositivi in
nitruro di gallio
sperimenteranno,
secondo le
proiezioni di Yole
Developpement,
una fortissima
crescita a partire
dal 2013
Fig. 1 - Evoluzione
del mercato dei
semiconduttori di
potenza (su dati
IMS Research)