EO532

ELETTRONICA OGGI 532 - marzo 2026 9 MERCATI Datacenter dedicati all’AI Il primo e più dirompente motore di cambia- mento è rappresentato dai datacenter de- dicati all’intelligenza artificiale. La potenza di calcolo necessaria per l’addestramento e l’inferenza dei modelli di AI cresce a ritmi esponenziali, con un raddoppio medio delle esigenze computazionali ogni sei mesi. Que- sta dinamica si traduce direttamente in un aumento vertiginoso della potenza elettrica richiesta a livello di rack, di sala e di infra- struttura. In questo contesto, la disponibilità di energia e l’efficienza della sua conversione diventano veri e propri colli di bottiglia per la scalabi- lità dell’AI. Le architetture di alimentazione tradizionali, basate su bus a bassa tensione, mostrano limiti crescenti in termini di perdite, densità di potenza e gestione termica. Di con- seguenza, l’industria sta esplorando nuove ar- chitetture, come la distribuzione in alta tensio- ne in corrente continua (Hvdc), con livelli di 800 V che consentono di ridurre correnti, per- dite ohmiche e ingombri dei conduttori. Secondo TechInsights, il solo mercato dei semiconduttori di potenza per datacenter raggiungerà circa 4 miliardi di dollari entro il 2026, diventando uno dei segmenti a più rapida crescita dell’intero settore. Affermazione del SiC Il carburo di silicio (SiC) rappresenta oggi la tecnologia dei semiconduttori ad ampia banda proibita (wide bandgap) più conso- lidata per applicazioni di media e alta po- tenza. La sua affermazione è stata trainata principalmente dall’elettrificazione automoti- ve, in particolare nei sistemi di trazione, negli inverter e nei convertitori di bordo. Tuttavia, dopo una fase iniziale di forte crescita e di gliorare le prestazioni dei dispositivi, ad esempio con l’introduzione di Mosfet SiC a tensione più bassa, 450 V anziché 650 V o 1.200 V. La riduzione della tensione nomina- le consente di ottimizzare ulteriormente il di- spositivo rispetto alla sua controparte ad alta tensione, riducendo al minimo le perdite. È possibile che emergano ulteriori classi di ten- sione nel perseguimento del miglioramento dell’efficienza e della riduzione delle perdi- te. Si prevede che continueranno ulteriori mi- glioramenti nelle classi di tensione esistenti. TechInsight stima che il mercato dei compo- nenti in SiC, rimasto stabile nel 2025 a 3,6 miliardi di dollari, vedrà un ritorno alla cre- scita nel 2026, con una previsione di 4,5 mi- liardi di dollari. Dinamiche del GaN Il nitruro di gallio (GaN) si colloca in una fase diversa del ciclo tecnologico. Nato nel mondo consumer, il GaN sta rapidamente estendendo il proprio utilizzo verso applica- zioni a maggiore potenza e criticità, come domanda superiore all’offerta, il mercato del carburo di silicio sta entrando in una fase più complessa. L’espansione massiccia della capacità pro- duttiva, soprattutto su wafer da 150 mm, ha generato un eccesso di offerta che si riflette in una crescente pressione sui prezzi, parti- colarmente evidente nel mercato cinese dei veicoli elettrici. Il rischio di commoditizzazio- ne del carburo di silicio è oggi concreto e po- trebbe innescare una fase di consolidamento del settore. Per contrastare l’erosione dei margini, i prin- cipali produttori stanno accelerando la tran- sizione ai wafer da 200 mm, investendo in nuove architetture di dispositivo - come i Mo- sfet al carburo di silicio super-junction - e ot- timizzando i dispositivi per specifiche classi di tensione. Parallelamente, cresce l’interesse per applicazioni industriali, infrastrutturali e per datacenter, meno sensibili al prezzo ri- spetto all’automotive di massa. Dal punto di vista tecnologico, i produttori continuano a spingersi oltre i limiti per mi-