AOS (Alpha and Omega Semiconductor) ha annunciato il rilascio dell’AON6500, un MOSFET di potenza n-channel a 30 V che utilizza il package DFN 5×6 mm. Questo MOSFET si basa sulla tecnologia proprietaria AlphaMOS (aMOS) 30V che migliora l’RDS(ON) del 40% rispetto alla precedente generazione, con la relativa riduzione delle perdite di potenza.
Dal punto di vista dell’impiego, l’ AON6500 è destinato a applicazioni di power switching per il controllo di motori e di alimentazione per il mercato industriale. La bassa resistenza di 0.95 mOhm a 10 VGS lo rende inoltre idoneo per applicazioni di conversione DC/DC.
Peter Wilson, direttore per i MOSFET a bassa tensione in AOS, ha dichiarato: “La tecnologia AlphaMOS 30V consente un maggiore densità di potenza e migliori prestazioni nei sistemi di potenza avanzati, permettendo ai progettisti di ridurre le perdite di potenza nelle applicazioni più esigenti.”