WE-AGDT: il trasformatore di Würth Elektronik per MOSFET SiC

Pubblicato il 3 dicembre 2020

WE-AGDT è un trasformatore compatto di Würth Elektronik ospitato in un package EP7.

Questo nuovo trasformatore assemblabile con tecnologia SMT è inoltre parte integrante di una soluzione per l’alimentazione di potenza sviluppata dall’azienda per applicazioni di pilotaggio del gate di MOSFET al carburo di silicio (SiC).

Il range della tensione di ingresso va da 9 a 36 V e la corrente di saturazione è pari a 4,5 A.

La serie WE-AGDT comprende sei trasformatori, ciascuno ottimizzato per il reference design corrispondente. Grazie ai due avvolgimenti secondari separati, consente tensioni di uscita sia bipolari (+15 V, -4 V) che unipolari (da +15 V a +20 V, 0 V).

Con una tensione di ingresso da 9 a 36 V è possibile ottenere una potenza in uscita massima da 3 a 6 W. I trasformatori WE-AGDT sono interessanti per applicazioni con componenti al carburo di silicio, ma sono adatti anche per un controllo ottimale di IGBT e MOSFET di potenza e, con un convertitore DC/DC adeguato, per transistor a effetto di campo (FET, field effect transistor) al nitruro di gallio (GaN) ad alta tensione



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