Vishay Intertechnology: MOSFET di potenza con basso RDS(ON)

Pubblicato il 11 febbraio 2014

Vishay Intertechnology ha ampliato la gamma di MOSFET di potenza TrenchFET p-channel Gen III con un dispositivo caratterizzato dal più basso valore di RDS(ON)

Progettato per aumentare l’efficienza di computer portatili, Si7157DP vanta resistenze di 0,0016 Ω e 0,0020 Ω rispettivamente a -10 V e -4,5 V. Si7157DP è ottimizzato per l’impiego in convertitori di carica e batteria per la gestione dell’alimentazione di notebook.

Il basso valore di RDS(ON) permette ai progettisti di ridurre le cadute di tensione e perdite di conduzione nei circuiti, favorendo un utilizzo più efficiente dell’energia e una maggiore durata delle batterie, in particolar modo con condizioni di picco di carico.

Infine Si7157DP è caratterizzato da un package powerPAK SO-8 che misura solo 6,15 x 5,15 mm, privo di alogeni secondo la norma Jedec JS709A e conforme alla direttiva RoHS 2011/65/EU.



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