Un’opportuna regolazione in corrente permette di ottenere maggior potenza da un mosfet

Dalla rivista:
Elettronica Oggi
Alcuni circuiti di polarizzazione tipicamente usati per i transistor mosfet di potenza impiegano interruttori BCD (Binary Coded Decimal) per erogare e stabilizzare la corrente. Tuttavia, non è facile trovare in commercio dei commutatori BCD capaci di regolare più di 25 mA con adeguata qualità. Si può ovviare a questo inconveniente implementando il chip di monitoraggio della corrente a quattro pin Zetex ZXCT1010, il quale può regolare la corrente direttamente sul transistor senza bisogno di farla passare attraverso i BCD. Come si vede in figura 1, la corrente di carico è determinata dalla tensione applicata sulla resistenza RSENSE. Perciò la tensione su R1, che è la resistenza da 100 Ohm, è la medesima applicata su RSENSE e produce una corrente di uscita su R1 pari a IOUTx100=ILOADxRSENSE dove VOUT=IOUTxROUT e dove ILOAD è la corrente sul carico, mentre VOUT e IOUT sono i rispettivi valori di uscita per tensione e corrente. Ora si può usare la tensione di uscita come tensione di controllo per regolare la corrente sul carico.
Fig. 1 – Si può regolare la corrente su un mosfet senza bisogno di farle attraversare il BCD e ottenendo così maggior potenza in uscita
Un’utile applicazione di questo circuito è la ricarica degli accumulatori negli apparecchi portatili. In tal caso si può far lavorare il circuito a 18 V e usare un mosfet di potenza a canale N Fairchild Semiconductor IRF520 dotato di dissipatore in alluminio e capace di erogare fino a 9,2 A grazie alla bassa resistenza collettore/emettitore di 0,27 Ohm che si aggiunge al carico. Per la regolazione dell’IRF520 si usa una retroazione basata su un amplificatore operazionale applicato sul carico. In questo modo la massima corrente d’uscita è di 1 A e il valore della resistenza RSENSE è di 0,1 Ohm. La scheda PCB può avere un’impedenza tipica altrettanto bassa, peraltro facilmente calcolabile considerando 35 µm di spessore.
Gli interruttori BCD sono in parallelo insieme alle resistenze che vanno da 125 a 100k Ohm e permettono di regolare la tensione d’uscita sull’ingresso negativo dell’amplificatore operazionale. Le equazioni per calcolare i valori delle resistenze sono le seguenti: VSENSE=RSENSExILOAD, IOUT=RSENSExILOAD/100 e R0=VREFx100/(RSENSExILOAD). Se si sceglie il valore di 0,1 Ohm per la RSENSE e il valore di 0,1V per la tensione di riferimento, ecco che l’equazione diventa R0=100/ILOAD. Applicando questa equazione si possono calcolare i quattro valori delle resistenze applicate per ciascuno dei tre BCD e quindi determinare esattamente quanta corrente attraversa ciascun resistore.
Per correnti rispettivamente di 800, 400, 200, 100, 80, 40, 20, 10, 8, 4, 2 e 1 mA le corrispondenti resistenze hanno valori di 0.125, 0.25, 0.5, 1, 1.25, 2.5, 5, 10, 12.5, 25, 50 e 100 k Ohm. Pertanto, se la corrente di carico è di 1 A, allora la corrente di uscita è di 1 mA, mentre se la corrente di carico è di 1 mA allora la corrente di uscita è di 1 µA. Si tenga, infine, presente che la superficie del transistor IRF520 è al potenziale del collettore.
Gyula Diószegi e János Nagy, Divelex, Budapest, Ungheria
Contenuti correlati
-
Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V
Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky (SBD) integrato. Questi componenti sono utilizzabili per applicazioni a 1500V DC come, per esempio, gli inverter fotovoltaici, i caricabatterie per i veicoli elettrici,...
-
Da Toshiba un compatto MOSFET a canale N common-drain
Toshiba Electronics Europe ha presentato SSM14N956L, un MOSFET a canale N common-drain a 12V e 20A, da utilizzare nei circuiti di protezione dei battery pack agli ioni di litio, come quelli comunemente utilizzati per smartphone, tablet, power...
-
I nuovi MOSFET di potenza a canale N a 600 V di Toshiba
La nuova serie di MOSFET di potenza a canale N DTMOSVI a 600V di Toshiba Electronics Europe è basata su un processo di ultima generazione e utilizza una struttura a super giunzione. Il primo modello è siglato...
-
Magnachip avvia la produzione in serie di MOSFET MXT a 40 V per i sistemi di energy recovery
Magnachip Semiconductor ha avviato la produzione in serie del suo nuovo MOSFET MXT da 40 V per i sistemi energy recovery automotive. Il MOSFET MXT AMDU040N014VRH offre RDS(on) a partire da 1,4 mΩ e consente un efficace...
-
Condensatori ceramici multistrato (MLCC) da 150 °C per gruppi propulsori operanti ad alta temperatura
I condensatori ceramici multistrato (MLCC) delle serie X8L e X8G di Samsung Electro-Mechanics garantiscono un’alta affidabilità in condizioni di temperatura estreme Leggi l’articolo completo su EO 510
-
Migliorare il progetto del sistema di alimentazione con la tecnologia DrMOS
Questo articolo descrive la recentissima tecnologia driver + MOSFET (DrMOS) e i relativi vantaggi nelle applicazioni dei moduli regolatori di tensione (Voltage Regulator Module, VRM). I dispositivi monolitici DrMOS permettono di migliorare notevolmente i sistemi di alimentazione...
-
Cadence presenta Allegro X AI per accelerare la progettazione PCB
Cadence Design Systems ha presentato Cadence Allegro X AI technology, una soluzione di progettazione per sistemi di nuova generazione che, precisa l’azienda, offre miglioramenti rilevanti in termini di prestazioni e automazione. La nuova offerta AI è basata...
-
CML Microcircuits amplia la famiglia di prodotti SµRF
CML Microcircuits ha annunciato la disponibilità degli amplificatori con curva di guadagno a pendenza positiva CMX90B701 e CMX90B702. Questi dispositivi costituiscono le ultime aggiunte alla famiglia di prodotti SµRF di CML e proseguono l’espansione di CML verso...
-
I MOSFET SiC Toshiba di terza generazione disponibili da Farnell
Farnell ha annunciato la disponibilità della terza generazione di MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 650V e 1200V di Toshiba. Le strutture delle celle si basano su quelle utilizzate nei dispositivi Toshiba di seconda generazione, ottimizzando...
-
Inova Semiconductors riceve il premio Digital Innovator 2023
Inova Semiconductors è stata nominata “Digital Innovator” per il terzo anno consecutivo dalla rivista di PC Chip insieme agli esperti di Globis Management Consulting. Chip ha condotto un’indagine sulle innovazioni digitali con l’obiettivo di trovare aziende tedesche...