Un MOSFET al carburo di silicio da 1200 V da Toshiba

Pubblicato il 21 ottobre 2020

Toshiba Electronics Europe ha realizzato un MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V per applicazioni industriali ad alta potenza, come per esempio gli alimentatori AC-DC con ingresso da 400 V, gli inverter fotovoltaici (PV) e i convertitori DC-DC bidirezionali i per gruppi di continuità (UPS).

Il nuovo MOSFET TW070J120B utilizza una struttura di dispositivo di seconda generazione di Toshiba e offre una elevata affidabilità. Inoltre, il TW070J120B raggiunge una bassa capacità di ingresso (CISS), pari a 1680pF (tip.), un basso valore di carica in ingresso al gate (Qg) di 67nC (tip.) e una resistenza di on (RDS (ON)) di 70mΩ (tip.).

Se confrontato con un IGBT al silicio da 1200 V come il GT40QR21 di Toshiba, il nuovo dispositivo riduce le perdite di commutazione in spegnimento di circa l’80% e il tempo di commutazione di circa il 70%, offrendo allo stesso tempo caratteristiche di bassa tensione di accensione con una corrente di drain (ID) massima di 20A.

La tensione di soglia del gate (Vth) è impostata a un valore alto (nell’intervallo compreso tra 4,2 V e 5,8 V), che riduce la possibilità di accensione o spegnimento non intenzionale o spurio. Inoltre, l’integrazione di un diodo SiC a barriera Schottky (SBD) con una bassa tensione diretta (VDSF) di -1,35 V (tip.) contribuisce a ridurre ulteriormente le perdite.



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