Littelfuse ha annunciato IXD2012NTR, un gate driver ad alta velocità ottimizzato per applicazioni di potenza ad alta frequenza. Questo componente è stato progettato per pilotare due MOSFET a canale N o IGBT in una configurazione a mezzo ponte.
IXD2012NTR fornisce un’uscita di 1,9 A (source) e 2,3 A (sink), opera su un ampio intervallo di tensione, da 10 V a 20 V, e supporta uno switch high side fino a 200 V nelle operazioni di bootstrap. I suoi ingressi logici sono compatibili con i livelli standard TTL e CMOS fino a 3,3 V, assicurando l’integrazione con un’ampia gamma di dispositivi di controllo.
La logica di protezione cross-conduction integrata del dispositivo previene l’accensione contemporanea di high-side e low-side, semplificando al contempo la progettazione del circuito attraverso un elevato livello di integrazione. Questo componente, ospitato in un package SOIC(N)-8, può operare in un intervallo di temperatura da −40 °C a +125 °C e offre prestazioni affidabili anche in ambienti difficili.
Littelfuse sottolinea che IXD2012NTR può essere utilizzato come sostituto diretto di diversi dispositivi gate driver standard.
Dal punto di vista applicativo, IXD2012NTR può essere utilizzato per realizzare convertitori CC-CC, inverter CA-CC, controller per motori, ma anche amplificatori di potenza in classe D.