Un circuito di amplificazione e modulazione a tre transistor

Dalla rivista:
Elettronica Oggi

 
Pubblicato il 30 giugno 2011

Ci sono molte applicazioni in cui c’è bisogno di un circuito capace sia di modulare impulsi che di amplificare tensione al fine di comandare correttamente un carico tramite un opportuno treno di impulsi. Una tipica applicazione di questo tipo è il pilotaggio dei generatori piezoelettrici nei robot, ma ve ne sono anche altre piuttosto diffuse come il comando dei piccoli motori o degli array di LED. La ecolocalizzazione (sonar che stima le distanze misurando il tempo trascorso fra l’emissione di un suono e il ritorno della sua eco dall’ambiente, tipico dei pipistrelli) e la visualizzazione a ultrasuoni fanno ciò usando segnali con frequenza tempovariante, o chirp, ma per questo tipo di applicazioni, ovviamente, la distorsione non lineare non è importante.

Per contro, quando si deve pilotare un carico piezoelettrico ci si accorge subito che la sua naturale risonanza rimuove tutte le componenti di frequenza diverse dalla fondamentale. Il circuito qui proposto unisce un modulatore e un amplificatore in un singolo stadio e l’eleganza e la compattezza di questa soluzione circuitale sono ottimali per le applicazioni portatili come gli strumenti di misura.
In questo circuito il carico è posto in serie con due interruttori (Fig.1) e il segnale d’ingresso controlla direttamente S2, mentre S3 controlla S1 e il segnale modulato controlla S3. In pratica, il funzionamento in modulazione di questo circuito è simile a quello di un gate AND nel quale però gli interruttori hanno una resistenza interna sufficiente per poter dissipare le armoniche riflesse per risonanza dal carico.

Fig. 1 – Questo semplice modulatore è costituito da tre interruttori

Si noti che questo circuito utilizza come interruttori i transistor Q1 e Q2, sebbene questi si trovino nello stato di conduzione (Fig. 2). In pratica, essi lavorano come se fossero resistori controllati, pur amplificando sia in tensione che in corrente. Si può comandare il transistor Q2 con un segnale a 42 kHz opportunamente scelto per adattarsi alla risonanza sul carico, dopodiché si modula il transistor Q3 con un segnale periodico a impulsi a bassa frequenza. Questi impulsi aprono Q3, il quale di conseguenza induce Q1 e Q2 alla saturazione. Dunque, quando Q3 si apre fa cadere tutta la tensione sulla base di Q1, bloccando automaticamente lo stato di Q2. In pratica, Q1 e Q2 lavorano in sintonia perché anche Q1 può condurre corrente solo quando Q2 sta altrettanto conducendo corrente. Si può pensare a questo circuito come un amplificatore differenziale nel quale il segnale su un ramo controlla quello sull’altro ramo.

Sui grandi segnali i transistor Q2 e Q3 rimangono nella regione attiva la maggior parte del tempo e perciò i valori della resistenza interna nella base e nel collettore del Q1 diventano importanti. Infatti, quando la frequenza del segnale diventa più alta della frequenza di risonanza del carico, ecco che il diodo D1 si occupa di proteggere Q1 dagli effetti dell’induttanza L1 e dalle armoniche del circuito LC. Invero, la tensione di collettore ha uno spettro ricco di armoniche perché queste sono prodotte dalle caratteristiche non lineari dei tre transistor, ma questo non è un problema del quale preoccuparsi proprio perché la risonanza del carico provvede a eliminare tutte le armoniche inutili.

Fig. 2 – Il circuito di modulazione a tre transistor su carico risonante può lavorare con un ampio intervallo di tensioni d’ingresso

Il valore della resistenza R1 è critico perché influisce sul guadagno dell’amplificazione dello stadio Q1/Q2 sia in corrente che in tensione e si può dimostrare che la variazione della tensione sul collettore di Q1 è piuttosto sensibile al valore della R1. Inoltre, il transistor Q1 riesce a lavorare in modalità di conduzione perché la sua tensione di collettore aumenta fino al suo valore massimo abbastanza lentamente. La piccola ma significativa fluttuazione (glitch) sulle basse tensioni di collettore dimostra che quando si instaurano i regimi di conduzione in Q2 e Q3 si verificano discontinuità che provocano piccoli e parziali blocchi dell’amplificazione.
Se l’impedenza sul carico varia, il circuito non degrada la forma degli impulsi e questo vale fino al doppio della frequenza di risonanza del carico. Comunque, questo circuito lavora con tensioni d’ingresso da 4,5 a 11 V e perciò può essere agevolmente gestito con un comune microcontrollore a 5 V.
 

Nicolai Teodorescu, Victor Cojocaru, Gheorghe Asachi, Technical University, Romania



Contenuti correlati

  • La progettazione dei circuiti elettronici

    In questo articolo, dopo l’esposizione dei principi base della progettazione e dell’analisi dei circuiti elettronici, verrà fornita una sintetica descrizione della progettazione elettronica assistita da computer Leggi l’articolo completo su EO 507

  • Monitoraggio dello stato dei satelliti mediante amplificatori di rilevamento della corrente

    Gli amplificatori di rilevamento della corrente costituiscono un elemento fondamentale di numerosi sistemi di monitoraggio dei satelliti che permettono di capire il loro comportamento dalla Terra Leggi l’articolo completo su EO 507

  • I nuovi transistor a giunzione bipolare con package DPAK di Nexperia

    Nexperia  ha annunciato nove nuovi transistor di potenza a giunzione bipolare, estendendo la sua offerta di prodotti con package DPAK per applicazioni da 2 A a 8 A e da 45 V fino a 100 V. I...

  • Da Ampleon un transistor RF LDMOS da 250W

    BLP2425M10S250P è un nuovo transistor di potenza RF da 250 W annunciato da Ampleon. Si tratta di un componente utilizzabile per applicazioni industriali, nelle cucine per la cottura e lo scongelamento, applicazioni scientifiche e mediche (ISM) nella...

  • Ampleon: nuovo transistor LDMOS da 500W

    BLP05H9S500P è un nuovo transistor di potenza di Ampleon progettato per l’uso in applicazioni di riscaldamento industriale, sbrinamento, illuminazione al plasma e mediche. Questo transistor basato su tecnologia LDMOS opera a una gamma di frequenza compresa tra...

  • ROHM acquisisce parte del business di diodi e transistor di Panasonic

    ROHM ha recentemente annunciato l’acquisizione di una parte del business relativo a diodi e transistor di Panasonic Semiconductor Solutions Company, una società del gruppo di Panasonic Corp. Acquisendo queste attività da Panasonic, ROHM punta a espandere ulteriormente...

  • ON Semiconductor: transistor IGBT

    ON Semiconductor ha introdotto una nuova serie di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) che utilizzano la tecnologia proprietaria Ultra Field Stop Trench dell’azienda. I componenti NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG e NGTB40N120L3WG sono progettati per fornire livelli elevati di prestazioni operative...

  • Transistor di potenza modulari

    Nel report “IGBT & Thyristor Market by Packaging Type, Power Rating & Application – Global Analysis & Forecast to 2020” pubblicato da Research and Markets viene stimata una crescita per i transistor IGBT con Cagr del 9,5%...

  • 7 fellows & 7 thoughts about Moore’s Law – “We must teach chips to feel pain”

    When I was a doctorate student in the 1980s there was lots of wild speculation about Moore’s Law: give it another 10 years and transistors will stop getting smaller, they were saying back then. But in the...

  • I transistor alimentati con la luce

    Usare la luce per alimentare i computer è un traguardo meno lontano, grazie anche al transistor che funziona con segnali esclusivamente ottici messo a punto dai ricercatori dell’Istituto nanoscienze del Consiglio nazionale delle ricerche (CnrNano) in collaborazione...

Scopri le novità scelte per te x