Un amplificatore AB invertente basato su due celle di amplificazione a semionda
-
- Tweet
- Pin It
- Condividi per email
-
Dalla rivista:
Elettronica Oggi
Sovente i transistor si trovano utilizzati come amplificatori in configurazione a tre pin, dove spesso l’ingresso e l’uscita occupano lo stesso pin. In tal caso su questo pin l’uscita e l’ingresso condividono la medesima tensione. Perciò, il principale vantaggio di usare un amplificatore a quattro pin è proprio la possibilità di isolare nei circuiti l’ingresso dall’uscita. In effetti, sfruttando la presenza del quarto pin si può implementare un optoisolatore affiancandolo con un ulteriore transistor in modo tale da formare un amplificatore in classe AB isolato.
La figura 1 mostra un esempio di amplificatore invertente in classe AB da 1 kVpp che sfrutta due celle di amplificazione a semionda identiche e in controfase. La risposta in frequenza va dalla continua a 20 kHz a pieno guadagno, il quale è dato dal rapporto fra R2 e R1, ma si può far lavorare il circuito a frequenza maggiore penalizzando tuttavia il guadagno.
Fig. 1 – I transistor servono a innalzare la tensione e la corrente in uscita dagli optoisolatori in misura sufficiente a formare un amplificatore invertente isolato
In pratica, i due stadi a transistor servono a elevare la tensione d’uscita mantenendola però nettamente separata rispetto all’ingresso grazie agli optoisolatori. Questa configurazione risparmia la necessità del gran numero di componenti tipicamente usati nei circuiti convenzionali per innalzare il livello della tensione. Gli ingressi di +15 V e -15 V insieme ai resistori R4 e R5 forniscono la polarizzazione indispensabile per mantenere i transistor sempre accesi e in conduzione. Un’attenta calibrazione dei valori di queste resistenze può eliminare ogni possibilità di distorsione di crossover.
I diodi Zener D1 e D2 si occupano di mantenere i fotodiodi dell’optoisolatore polarizzati costantemente a 6,2 V, mentre i resistori R10, R11, R12 e R13 servono per fornire la retroazione negativa ai transistor d’uscita. Si possono montare sopra i quattro Mosfet a canale N STW8N80 adeguati diffusori termici che ne agevolano il raffreddamento. D’altra parte, questo circuito non necessita di protezione dai cortocircuiti e per prevenirne ogni eventualità è sufficiente aggiungere una coppia di limitatori da 125 mA sulle linee ad alto voltaggio.
Fig. 2 – La risposta a onda quadra a 10 kHz dell’amplificatore evidenzia un’ottimale fedeltà dinamica
La figura 2 mostra la risposta a onda quadra a 10 kHz, dove si vede che non ci sono né sotto, né sovra elongazioni e il fronte di salita è perfettamente simile e antisimmetrico rispetto a quello di discesa. La figura 3 mostra la precisa risposta sinusoidale a 20 kHz, dove entrambe le uscite sono fissate a 1 kVpp.
Fig. 3 – La risposta sinusoidale dell’amplificatore a 20 kHz mostra un segnale d’uscita oltremodo preciso
Joseph Wee Ting, Institute of Atomic and Molecular Sciences, Sinica Academy, Taipei, Taiwan
Contenuti correlati
-
Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200VToshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky (SBD) integrato. Questi componenti sono utilizzabili per applicazioni a 1500V DC come, per esempio, gli inverter fotovoltaici, i caricabatterie per i veicoli elettrici,...
-
Da Toshiba un compatto MOSFET a canale N common-drainToshiba Electronics Europe ha presentato SSM14N956L, un MOSFET a canale N common-drain a 12V e 20A, da utilizzare nei circuiti di protezione dei battery pack agli ioni di litio, come quelli comunemente utilizzati per smartphone, tablet, power...
-
I nuovi MOSFET di potenza a canale N a 600 V di ToshibaLa nuova serie di MOSFET di potenza a canale N DTMOSVI a 600V di Toshiba Electronics Europe è basata su un processo di ultima generazione e utilizza una struttura a super giunzione. Il primo modello è siglato...
-
Magnachip avvia la produzione in serie di MOSFET MXT a 40 V per i sistemi di energy recoveryMagnachip Semiconductor ha avviato la produzione in serie del suo nuovo MOSFET MXT da 40 V per i sistemi energy recovery automotive. Il MOSFET MXT AMDU040N014VRH offre RDS(on) a partire da 1,4 mΩ e consente un efficace...
-
Condensatori ceramici multistrato (MLCC) da 150 °C per gruppi propulsori operanti ad alta temperaturaI condensatori ceramici multistrato (MLCC) delle serie X8L e X8G di Samsung Electro-Mechanics garantiscono un’alta affidabilità in condizioni di temperatura estreme Leggi l’articolo completo su EO 510
-
Migliorare il progetto del sistema di alimentazione con la tecnologia DrMOSQuesto articolo descrive la recentissima tecnologia driver + MOSFET (DrMOS) e i relativi vantaggi nelle applicazioni dei moduli regolatori di tensione (Voltage Regulator Module, VRM). I dispositivi monolitici DrMOS permettono di migliorare notevolmente i sistemi di alimentazione...
-
CML Microcircuits amplia la famiglia di prodotti SµRFCML Microcircuits ha annunciato la disponibilità degli amplificatori con curva di guadagno a pendenza positiva CMX90B701 e CMX90B702. Questi dispositivi costituiscono le ultime aggiunte alla famiglia di prodotti SµRF di CML e proseguono l’espansione di CML verso...
-
I MOSFET SiC Toshiba di terza generazione disponibili da FarnellFarnell ha annunciato la disponibilità della terza generazione di MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 650V e 1200V di Toshiba. Le strutture delle celle si basano su quelle utilizzate nei dispositivi Toshiba di seconda generazione, ottimizzando...
-
Convertitori c.c./c.c. per gate driver: criteri di sceltaDagli alimentatori agli azionamenti per motore, dalle stazioni di ricarica a una miriade di altre applicazioni, i semiconduttori di potenza a commutazione, come i MOSFET realizzati in silicio (Si), carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio...
-
La progettazione dei circuiti elettroniciIn questo articolo, dopo l’esposizione dei principi base della progettazione e dell’analisi dei circuiti elettronici, verrà fornita una sintetica descrizione della progettazione elettronica assistita da computer Leggi l’articolo completo su EO 507
Scopri le novità scelte per te
-
Toshiba: nuovi MOSFET in carburo di silicio da 2200V
Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky (SBD) integrato. Questi...
-
Da Toshiba un compatto MOSFET a canale N common-drain
Toshiba Electronics Europe ha presentato SSM14N956L, un MOSFET a canale N common-drain a 12V e 20A, da...
News/Analysis Tutti ▶
-
Giorgio Albonetti è il nuovo presidente di ANES, l’associazione degli editori b2b, professionali e specializzatiL’Assemblea Generale dei soci di ANES – Associazione Nazionale Editoria di Settore, riunitasi oggi,...
-
VIA pubblica due tutorial online per il sistema VIA Mobile360VIA propone due video per aiutare gli utenti a sfruttare al meglio il potenziale...
-
Traco: nuovi convertitori DC/DC ultra compatti da 6WTraco ha presentato le serie TEL 6 e TEL 6WI costituite da convertitori DC/DC...
Products Tutti ▶
-
Traco: nuovi convertitori DC/DC ultra compatti da 6W
Traco ha presentato le serie TEL 6 e TEL 6WI costituite da convertitori DC/DC...
-
Sei nuovi dispositivi Thermoflagger da ToshibaToshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di circuiti integrati Thermoflagger con sei...
-
Timing di precisione con il nuovo oscillatore Epoch Platform di SiTimeSiTime Corporation ha presentato l’oscillatore Epoch Platform, progettato per risolvere i problemi di temporizzazione...
