Tutti vantaggi del GaN nella conversione di potenza off-line

Dalla rivista:
Elettronica Oggi

 
Pubblicato il 26 aprile 2021

Gli interruttori al GaN offrono ai progettisti il miglioramento più notevole dell’efficienza della conversione di potenza off-line dall’introduzione del raddrizzamento sincrono

Leggi l’articolo completo su EO 493

Chris Lee, Product Marketing Manager - Power Integrations



Contenuti correlati

  • Accordo di distribuzione fra Innoscience e WPG

    Innoscience Technology ha sottoscritto un accordo di distribuzione mondiale con WPG Holdings che consente a clienti in tutto il mondo di accedere ai transistor HMET con tecnologia GaN realizzati da Innoscience per applicazioni in alta e bassa...

  • EPC presenta un progetto di riferimento per un caricatore GaN da 240W USB PD3.1

    EPC ha annunciato la disponibilità della scheda di valutazione EPC9171 un alimentatore completo con ingresso universale in alternata da 90 V – 260 V e uscita in continua da 15 V – 48 V, per realizzare caricatori...

  • Da Innoscience il design di un alimentatore ad alta densità basato su componenti GaN

    Innoscience Technology ha realizzato un nuovo alimentatore dimostrativo da 140 W a densità ultra-alta che utilizza i dispositivi HEMT (high-electron-mobility-transistor) basati sui GaN ad alta e bassa tensione dell’azienda per ottenere efficienze superiori al 95%. L’alimentatore misura...

  • I nuovi HiperPFS-5 di Power Integrations

    Power Integrations ha realizzato la famiglia HiperPFS-5 con componenti che possono erogare fino a 240 W senza bisogno di un dissipatore. Si tratta di circuiti integrati con correzione del fattore di potenza (CFP) che integrano un interruttore...

  • Il chipset HiperLCS-2 di Power Integrations

    Power Integrations ha annunciato il chipset HiperLCS-2 a ridotto consumo energetico, una nuova famiglia di circuiti integrati che semplifica la progettazione e fabbricazione di convertitori di potenza risonanti LLC. La nuova soluzione a doppio chip presenta un...

  • Innoscience: il primo dispositivo GaN per telefoni cellulari

    Innoscience Technology ha annunciato INN40W08, un transistor HEMT GaN-on-Si bidirezionale da 40V per dispositivi mobili, compresi laptop e telefoni cellulari. HEMT INN40W08 è stato sviluppato utilizzando l’avanzata tecnologia InnoGan dell’azienda che si caratterizza per una resistenza di...

  • Dispositivi di potenza GaN e applicazioni

    Il libro “GaN power devices and applications” è una guida per progettisti che si occupano di dispositivi GaN scritto da Alex Lidow, fondatore e CEO di EPC, un’azienda che produce transistor di potenza GaN. Il libro è...

  • Power Integrations: integrati di commutazione HV con MOSFET SiC da 1700 V per automotive

    Power Integrations ha ampliato la propria famiglia InnoSwitch™3-AQ con l’aggiunta di nuovi circuiti integrati con tensione nominale di 1700 V e qualificati AEC-Q100. Si tratta dei primi integrati per alimentatori a commutazione destinati al mondo automotive a...

  • Partnership strategica fra GaN Systems e USI per accelerare l’adozione della tecnologia GaN negli EV

    GaN Systems, azienda specializzata in semiconduttori di potenza GaN (nitruro di gallio), ha annunciato una partnership strategica con la controllata di ASE Technology, Universal Scientific Industrial Co. per lo sviluppo congiunto di moduli di potenza GaN per...

  • Farnell amplia l’offerta Power Integrations con InnoSwitch3

    Farnell ha ampliato il suo portfolio di prodotti di Power Integrations aggiungendo all’offerta i circuiti integrati InnoSwitch3 con tecnologia PowiGaN. Questa estensione aumenta il numero di soluzioni, disponibili presso Farnell, basate su GaN e in grado di...

Scopri le novità scelte per te x